半导体结构制备方法和半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010110965.1

申请日：

2020-02-24

公开(公告)号：

CN113299651A

公开(公告)日：

2021-08-24

发明(设计)人：

鲍锡飞储瑶瑶

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

代理机构：

上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260

代理人：

成丽杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20200224
2021-08-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体器件 [P].

李理 .

中国专利 :CN118969820B ,2025-02-07

[2]

半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体器件 [P].

李理 .

中国专利 :CN118969820A ,2024-11-15

[3]

半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体器件 [P].

唐松 ;

杨国文 ;

赵卫东 .

中国专利 :CN112152085B ,2020-12-29

[4]

半导体结构的制备方法和半导体结构 [P].

杨孝东 ;

张磊 ;

黄俊杰 ;

潘旋 ;

崔接亚 .

中国专利 :CN118870803A ,2024-10-29

[5]

半导体结构的制备方法和半导体结构 [P].

吕游 ;

杨蕾 .

中国专利 :CN113035696B ,2021-06-25

[6]

半导体结构和半导体结构的制备方法 [P].

彭志高 ;

陶永洪 .

中国专利 :CN115663022A ,2023-01-31

[7]

半导体结构和半导体结构的制备方法 [P].

张俊逸 ;

李新 ;

应战 .

中国专利 :CN115568207A ,2023-01-03

[8]

半导体结构的制备方法和半导体结构 [P].

卢经文 .

中国专利 :CN115116962A ,2022-09-27

[9]

半导体结构的制备方法和半导体结构 [P].

张世明 ;

肖德元 ;

文浚硕 ;

金若兰 .

中国专利 :CN114121777A ,2022-03-01

[10]

半导体结构和半导体结构的制备方法 [P].

李军辉 ;

穆克军 .

中国专利 :CN114649285A ,2022-06-21

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