半导体结构的制备方法和半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310436861.3

申请日：

2023-04-19

公开(公告)号：

CN118870803A

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

杨孝东张磊黄俊杰潘旋崔接亚

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/161 H01L21/336 H01L29/78

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20230419
2024-10-29	公开	公开
2025-10-28	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构的制备方法和半导体结构 [P].

杨孝东 ;

张磊 ;

黄俊杰 ;

潘旋 ;

崔接亚 .

中国专利 :CN118870803B ,2025-10-28

[2]

半导体结构的制备方法和半导体结构 [P].

周刘涛 ;

潘烁 .

中国专利 :CN115915755B ,2025-10-21

[3]

半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体器件 [P].

李理 .

中国专利 :CN118969820B ,2025-02-07

[4]

半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体器件 [P].

李理 .

中国专利 :CN118969820A ,2024-11-15

[5]

半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体器件 [P].

唐松 ;

杨国文 ;

赵卫东 .

中国专利 :CN112152085B ,2020-12-29

[6]

半导体结构的制备方法和半导体结构 [P].

吕游 ;

杨蕾 .

中国专利 :CN113035696B ,2021-06-25

[7]

半导体结构和半导体结构的制备方法 [P].

彭志高 ;

陶永洪 .

中国专利 :CN115663022A ,2023-01-31

[8]

半导体结构和半导体结构的制备方法 [P].

张俊逸 ;

李新 ;

应战 .

中国专利 :CN115568207A ,2023-01-03

[9]

半导体结构的制备方法和半导体结构 [P].

卢经文 .

中国专利 :CN115116962A ,2022-09-27

[10]

半导体结构制备方法和半导体结构 [P].

鲍锡飞 ;

储瑶瑶 .

中国专利 :CN113299651A ,2021-08-24

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