量产α-相氮化硅的多步氮化工艺及α-相氮化硅

被引：0

申请号：

CN202011371877.3

申请日：

2020-11-30

公开(公告)号：

CN114572942A

公开(公告)日：

2022-06-03

发明(设计)人：

张耀华宫亚峰吴万里王思嘉张吉武刘彬范协诚黄彬

申请人：

申请人地址：

831500 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市甘泉堡经济技术开发区(工业园)众欣街2249号研发楼七层

IPC主分类号：

C01B21068

IPC分类号：

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

罗建民;张萍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 21/068 申请日:20201130
2022-06-03	公开	公开

共 50 条

[1]

一种α相氮化硅的生产方法及α相氮化硅 [P].

潘小龙 ;

黄彬 ;

张吉武 ;

刘兴平 ;

宋娟娟 .

中国专利 :CN107285772A ,2017-10-24

[2]

一种β相氮化硅的生产方法及β相氮化硅 [P].

张吉武 ;

黄彬 ;

潘小龙 ;

刘兴平 ;

宋娟娟 .

中国专利 :CN107285287A ,2017-10-24

[3]

氮化硅烧结体、氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

岩井健太郎 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

佐野孝 .

中国专利 :CN112313191B ,2021-02-02

[4]

氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

岩井健太郎 .

中国专利 :CN112292912A ,2021-01-29

[5]

氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

岩井健太郎 .

日本专利 :CN117998732A ,2024-05-07

[6]

氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

岩井健太郎 .

日本专利 :CN112292912B ,2024-03-08

[7]

氮化硅纳米线制备方法，氮化硅纳米线、氮化硅粉体及氮化硅亚微米粉体 [P].

雷超 ;

魏飞 ;

张晨曦 .

中国专利 :CN106477538A ,2017-03-08

[8]

氮化硅表壳 [P].

邓湘凌 .

中国专利 :CN201638017U ,2010-11-17

[9]

氮化硅粉末 [P].

中村祐三 ;

宫下敏行 .

日本专利 :CN120774721A ,2025-10-14

[10]

氮化硅粉体的制备方法及氮化硅粉体 [P].

史颖颖 ;

王正 ;

王良 ;

杜盼盼 ;

薛国梁 .

中国专利 :CN119241256A ,2025-01-03

← 1 2 3 4 5 →