一种β相氮化硅的生产方法及β相氮化硅

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610205705.6

申请日：

2016-04-05

公开(公告)号：

CN107285287A

公开(公告)日：

2017-10-24

发明(设计)人：

张吉武黄彬潘小龙刘兴平宋娟娟

申请人：

申请人地址：

830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐国家级高新技术产业开发区（新市区）甘泉堡高新技术产业园

IPC主分类号：

C01B21068

IPC分类号：

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

彭瑞欣;张天舒

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-13	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C01B 21/068 登记生效日:20180327 变更事项:申请人变更前权利人:新特能源股份有限公司变更后权利人:新疆晶硕新材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐国家级高新技术产业开发区（新市区）甘泉堡高新技术产业园变更后权利人:831500 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市高新技术开发区（新市区）甘泉堡经济技术开发区（工业园）面广东街2499号研发楼七层
2017-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 21/068 申请日:20160405
2017-10-24	公开	公开
2020-08-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B 21/068 申请公布日:20171024

共 50 条

[1]

一种α相氮化硅的生产方法及α相氮化硅 [P].

潘小龙 ;

黄彬 ;

张吉武 ;

刘兴平 ;

宋娟娟 .

中国专利 :CN107285772A ,2017-10-24

[2]

量产α-相氮化硅的多步氮化工艺及α-相氮化硅 [P].

张耀华 ;

宫亚峰 ;

吴万里 ;

王思嘉 ;

张吉武 ;

刘彬 ;

范协诚 ;

黄彬 .

中国专利 :CN114572942A ,2022-06-03

[3]

氮化硅烧结体、氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

岩井健太郎 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

佐野孝 .

中国专利 :CN112313191B ,2021-02-02

[4]

氮化法生产高纯β相氮化硅的制备方法 [P].

刘在翔 ;

邸庆法 .

中国专利 :CN104860274A ,2015-08-26

[5]

高α相氮化硅粉体的生产方法 [P].

夏静豪 ;

夏凡 .

中国专利 :CN112408992B ,2021-02-26

[6]

一种α相氮化硅的制备方法 [P].

刘在翔 ;

邸庆法 .

中国专利 :CN104528672A ,2015-04-22

[7]

一种高α相氮化硅的制备方法 [P].

张亚光 ;

杜宁 ;

张辉 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN104291829A ,2015-01-21

[8]

氮化硅粉体α相转相装置 [P].

张芬红 .

中国专利 :CN2546432Y ,2003-04-23

[9]

氮化硅纳米线制备方法，氮化硅纳米线、氮化硅粉体及氮化硅亚微米粉体 [P].

雷超 ;

魏飞 ;

张晨曦 .

中国专利 :CN106477538A ,2017-03-08

[10]

氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

岩井健太郎 .

中国专利 :CN112292912A ,2021-01-29

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