一种减少单晶硅晶圆片划道的抛光工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310660135.6

申请日：

2013-12-05

公开(公告)号：

CN103646851A

公开(公告)日：

2014-03-19

发明(设计)人：

孙晨光梁爱景李诺张晋会李翔

申请人：

申请人地址：

300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区（环外）海泰东路12号内

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211

代理人：

孙春玲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-19	公开	公开
2017-06-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101752697867 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2013106601356 申请公布日:20140319
2014-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581835243 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2013106601356 申请日:20131205

共 50 条

[1]

一种单晶硅晶圆片边缘抛光工艺 [P].

孙晨光 ;

魏艳军 ;

罗翀 ;

武卫 ;

吕莹 .

中国专利 :CN104526493A ,2015-04-22

[2]

一种减少单晶硅晶圆抛光片化学灼伤的有蜡抛光方法 [P].

吕莹 ;

魏艳军 ;

刘园 ;

张晋会 ;

李翔 .

中国专利 :CN103659468A ,2014-03-26

[3]

一种改善表面颗粒的重掺砷单晶硅晶圆抛光片的抛光工艺 [P].

孙晨光 ;

曲涛 ;

垢建秋 ;

韩贵祥 ;

张俊生 .

中国专利 :CN103009234A ,2013-04-03

[4]

一种可获得高抛光速率的单晶硅晶圆片抛光工艺 [P].

王丹 ;

垢建秋 ;

刘建伟 ;

孙晨光 ;

武卫 .

中国专利 :CN102962756B ,2013-03-13

[5]

一种提高抛光垫使用寿命的单晶硅晶圆片抛光方法 [P].

孙晨光 ;

曲涛 ;

魏艳军 ;

王力 .

中国专利 :CN104191352A ,2014-12-10

[6]

一种半导体级单晶硅晶圆衬底的抛光工艺 [P].

周庆饴 ;

贺金元 ;

龚廷 .

中国专利 :CN120565408A ,2025-08-29

[7]

一种超高清洗能力的单晶硅晶圆片清洗方法 [P].

刘建伟 ;

黄建国 ;

孙希凯 ;

甄红昌 ;

张宇 .

中国专利 :CN103029026A ,2013-04-10

[8]

一种单晶硅晶圆抛光片的清洗方法 [P].

罗翀 ;

徐荣清 ;

甄红昌 ;

王玮 ;

吉敏 .

中国专利 :CN102974565A ,2013-03-20

[9]

一种保持硅晶圆抛光片少数载流子高寿命的抛光工艺 [P].

刘振福 ;

石明 ;

谭启龙 ;

冯硕 ;

严政先 .

中国专利 :CN103072073A ,2013-05-01

[10]

一种提高单晶硅晶圆抛光片保质期的包装工艺 [P].

吕莹 ;

刘园 ;

齐钊 ;

李诺 ;

吉敏 .

中国专利 :CN102963622A ,2013-03-13

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