一种提高单晶硅晶圆抛光片保质期的包装工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210534624.2

申请日：

2012-12-12

公开(公告)号：

CN102963622A

公开(公告)日：

2013-03-13

发明(设计)人：

吕莹刘园齐钊李诺吉敏

申请人：

申请人地址：

300384 天津市西青区华苑技术产业园区（环外）海泰东路12号

IPC主分类号：

B65D8538

IPC分类号：

B65D8120 B65D8126

代理机构：

天津中环专利商标代理有限公司 12105

代理人：

王凤英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-13	公开	公开
2014-10-29	授权	授权
2013-04-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101433994555 IPC(主分类):B65D 85/38 专利申请号:2012105346242 申请日:20121212
2020-01-07	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):B65D 85/38 登记生效日:20191219 变更事项:专利权人变更前权利人:天津中环领先材料技术有限公司变更后权利人:中环领先半导体材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:300384 天津市西青区华苑技术产业园区（环外）海泰东路12号变更后权利人:214200 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道变更事项:共同专利权人变更后权利人:天津中环领先材料技术有限公司

共 50 条

[1]

一种单晶硅晶圆抛光片的清洗方法 [P].

罗翀 ;

徐荣清 ;

甄红昌 ;

王玮 ;

吉敏 .

中国专利 :CN102974565A ,2013-03-20

[2]

一种单晶硅晶圆片边缘抛光工艺 [P].

孙晨光 ;

魏艳军 ;

罗翀 ;

武卫 ;

吕莹 .

中国专利 :CN104526493A ,2015-04-22

[3]

一种减少单晶硅晶圆抛光片化学灼伤的有蜡抛光方法 [P].

吕莹 ;

魏艳军 ;

刘园 ;

张晋会 ;

李翔 .

中国专利 :CN103659468A ,2014-03-26

[4]

一种减少单晶硅晶圆片划道的抛光工艺 [P].

孙晨光 ;

梁爱景 ;

李诺 ;

张晋会 ;

李翔 .

中国专利 :CN103646851A ,2014-03-19

[5]

一种改善表面颗粒的重掺砷单晶硅晶圆抛光片的抛光工艺 [P].

孙晨光 ;

曲涛 ;

垢建秋 ;

韩贵祥 ;

张俊生 .

中国专利 :CN103009234A ,2013-04-03

[6]

一种盛载单晶硅晶圆抛光片片盒的清洗工艺 [P].

刘琦 ;

齐钊 ;

李诺 ;

孙希凯 ;

吕莹 .

中国专利 :CN102974581A ,2013-03-20

[7]

一种单晶硅抛光片热处理工艺 [P].

冯泉林 ;

周旗钢 ;

屠海令 ;

王敬 ;

刘斌 ;

万关良 ;

张果虎 .

中国专利 :CN100338270C ,2006-05-10

[8]

一种单晶硅抛光片的清洗方法 [P].

闫志文 ;

王刚 ;

刘园 ;

王广勇 ;

石明 ;

徐荣清 ;

吕莹 ;

张晋会 .

中国专利 :CN107195537A ,2017-09-22

[9]

一种保持硅晶圆抛光片少数载流子高寿命的抛光工艺 [P].

刘振福 ;

石明 ;

谭启龙 ;

冯硕 ;

严政先 .

中国专利 :CN103072073A ,2013-05-01

[10]

一种单晶硅抛光片生产用抛光装置 [P].

李长坤 ;

谢永奕 .

中国专利 :CN217097163U ,2022-08-02

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