一种可获得高抛光速率的单晶硅晶圆片抛光工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210534575.2

申请日：

2012-12-12

公开(公告)号：

CN102962756B

公开(公告)日：

2013-03-13

发明(设计)人：

王丹垢建秋刘建伟孙晨光武卫

申请人：

申请人地址：

300384 天津市西青区华苑技术产业园区（环外）海泰东路12号

IPC主分类号：

B24B2902

IPC分类号：

代理机构：

天津中环专利商标代理有限公司 12105

代理人：

王凤英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-13	公开	公开
2015-01-21	授权	授权
2013-04-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101433998738 IPC(主分类):B24B 29/02 专利申请号:2012105345752 申请日:20121212
2020-01-10	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):B24B 29/02 登记生效日:20191220 变更事项:专利权人变更前权利人:天津中环领先材料技术有限公司变更后权利人:中环领先半导体材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:300384 天津市西青区华苑技术产业园区（环外）海泰东路12号变更后权利人:214200 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道变更事项:共同专利权人变更后权利人:天津中环领先材料技术有限公司

共 50 条

[1]

一种单晶硅晶圆片边缘抛光工艺 [P].

孙晨光 ;

魏艳军 ;

罗翀 ;

武卫 ;

吕莹 .

中国专利 :CN104526493A ,2015-04-22

[2]

一种减少单晶硅晶圆片划道的抛光工艺 [P].

孙晨光 ;

梁爱景 ;

李诺 ;

张晋会 ;

李翔 .

中国专利 :CN103646851A ,2014-03-19

[3]

一种提高抛光垫使用寿命的单晶硅晶圆片抛光方法 [P].

孙晨光 ;

曲涛 ;

魏艳军 ;

王力 .

中国专利 :CN104191352A ,2014-12-10

[4]

一种改善表面颗粒的重掺砷单晶硅晶圆抛光片的抛光工艺 [P].

孙晨光 ;

曲涛 ;

垢建秋 ;

韩贵祥 ;

张俊生 .

中国专利 :CN103009234A ,2013-04-03

[5]

一种半导体级单晶硅晶圆衬底的抛光工艺 [P].

周庆饴 ;

贺金元 ;

龚廷 .

中国专利 :CN120565408A ,2025-08-29

[6]

一种减少单晶硅晶圆抛光片化学灼伤的有蜡抛光方法 [P].

吕莹 ;

魏艳军 ;

刘园 ;

张晋会 ;

李翔 .

中国专利 :CN103659468A ,2014-03-26

[7]

一种用于单晶硅晶圆片的抛光液及其应用 [P].

王杰 ;

黄晓伟 ;

袁黎光 ;

钱金龙 ;

楚慧颖 ;

杨小牛 .

中国专利 :CN115466573B ,2024-02-20

[8]

一种用于单晶硅晶圆片的抛光液及其应用 [P].

王杰 ;

黄晓伟 ;

袁黎光 ;

钱金龙 ;

楚慧颖 ;

杨小牛 .

中国专利 :CN115466573A ,2022-12-13

[9]

一种单晶硅晶圆抛光片的清洗方法 [P].

罗翀 ;

徐荣清 ;

甄红昌 ;

王玮 ;

吉敏 .

中国专利 :CN102974565A ,2013-03-20

[10]

一种保持硅晶圆抛光片少数载流子高寿命的抛光工艺 [P].

刘振福 ;

石明 ;

谭启龙 ;

冯硕 ;

严政先 .

中国专利 :CN103072073A ,2013-05-01

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