一种发光二极管芯片制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910051058.8

申请日：

2009-05-12

公开(公告)号：

CN101552312A

公开(公告)日：

2009-10-07

发明(设计)人：

张楠朱广敏郝茂盛张国义陈志忠齐胜利田鹏飞李士涛袁根如陈诚

申请人：

申请人地址：

201210上海市张江高科技园区芳春路400号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所

代理人：

郑玮

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-07	公开	公开
2010-06-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101002838621 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2009100510588 申请日:20090512
2012-02-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101274723257 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2009100510588 公开日:20091007

共 50 条

[1]

发光二极管芯片 [P].

洪越 .

中国专利 :CN109545927A ,2019-03-29

[2]

发光二极管芯片 [P].

汪延明 ;

姚禹 ;

许亚兵 ;

牛凤娟 ;

侯召男 .

中国专利 :CN202423369U ,2012-09-05

[3]

发光二极管芯片制作方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN113421951A ,2021-09-21

[4]

发光二极管芯片制作方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN113421951B ,2024-05-07

[5]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制作方法 [P].

王思博 ;

胡欢欢 ;

简弘安 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 ;

丁逸圣 .

中国专利 :CN109728143A ,2019-05-07

[6]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

许明明 ;

董国庆 ;

文国昇 ;

刘芝君 .

中国专利 :CN114551673A ,2022-05-27

[7]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

黄庆 ;

张美 ;

杭伟 ;

王洪占 .

中国专利 :CN117810326A ,2024-04-02

[8]

发光二极管芯片中电流扩展的方法和发光二极管芯片 [P].

段大卫 ;

马克 ;

马赛罗 .

中国专利 :CN103456844A ,2013-12-18

[9]

发光二极管芯片制备方法 [P].

张威 ;

王江波 .

中国专利 :CN104319323B ,2015-01-28

[10]

倒装发光二极管芯片和倒装发光二极管芯片制作方法 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN110098300A ,2019-08-06

← 1 2 3 4 5 →