发光二极管芯片及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210447377.6

申请日：

2022-04-27

公开(公告)号：

CN114551673A

公开(公告)日：

2022-05-27

发明(设计)人：

许明明董国庆文国昇刘芝君

申请人：

申请人地址：

330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3338 H01L3344 H01L3300

代理机构：

南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150

代理人：

彭琰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20220427
2022-05-27	公开	公开

共 50 条

[1]

发光二极管芯片制备方法 [P].

张威 ;

王江波 .

中国专利 :CN104319323B ,2015-01-28

[2]

发光二极管芯片 [P].

汪延明 ;

姚禹 ;

许亚兵 ;

牛凤娟 ;

侯召男 .

中国专利 :CN202423369U ,2012-09-05

[3]

发光二极管芯片 [P].

洪越 .

中国专利 :CN109545927A ,2019-03-29

[4]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

吴俊磊 ;

秦双娇 ;

刘建森 ;

陈沛然 ;

傅新钧 ;

杜雯丹 ;

应丹青 .

中国专利 :CN118099322A ,2024-05-28

[5]

发光二极管芯片 [P].

李刚 ;

吴启保 ;

王胜国 .

中国专利 :CN2789935Y ,2006-06-21

[6]

发光二极管芯片中电流扩展的方法和发光二极管芯片 [P].

段大卫 ;

马克 ;

马赛罗 .

中国专利 :CN103456844A ,2013-12-18

[7]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制作方法 [P].

王思博 ;

胡欢欢 ;

简弘安 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 ;

丁逸圣 .

中国专利 :CN109728143A ,2019-05-07

[8]

高光效发光二极管芯片及其制备方法 [P].

张威 ;

徐瑾 ;

王江波 .

中国专利 :CN103560183B ,2014-02-05

[9]

一种发光二极管芯片制作方法 [P].

张楠 ;

朱广敏 ;

郝茂盛 ;

张国义 ;

陈志忠 ;

齐胜利 ;

田鹏飞 ;

李士涛 ;

袁根如 ;

陈诚 .

中国专利 :CN101552312A ,2009-10-07

[10]

发光二极管芯片及其制备方法、显示基板 [P].

黄兆斌 .

中国专利 :CN118099291A ,2024-05-28

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