半导体器件及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210312176.5

申请日：

2022-03-28

公开(公告)号：

CN115623789A

公开(公告)日：

2023-01-17

发明(设计)人：

具元泰韩在贤

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B4335

IPC分类号：

H10B4327 H10B4135 H10B4127

代理机构：

北京弘权知识产权代理有限公司 11363

代理人：

许伟群;李少丹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H10B 43/35 申请日:20220328
2023-01-17	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

柴田宽 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN1979877B ,2007-06-13

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN105845578A ,2016-08-10

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴范琎 ;

姜明吉 ;

金洞院 ;

金永权 ;

金钟守 ;

庾烋旻 ;

郑秀真 .

韩国专利 :CN119300461A ,2025-01-10

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

李炳训 ;

朴钟昊 ;

金完敦 ;

玄尚镇 .

韩国专利 :CN111668308B ,2025-06-10

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

柴田宽 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN1697179A ,2005-11-16

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

安佑松 ;

李相惇 ;

吴容哲 .

中国专利 :CN113130493B ,2021-07-16

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵冬雪 ;

杨远程 ;

杨涛 ;

孙昌志 ;

刘威 ;

夏志良 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN119999351A ,2025-05-13

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

姜泰旭 ;

郑仓龙 ;

金昌树 ;

徐昌秀 ;

朴汶熙 .

中国专利 :CN1725511A ,2006-01-25

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

柴田宽 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN101150135B ,2008-03-26

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

崔贤根 ;

李基硕 .

韩国专利 :CN118434158A ,2024-08-02

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