半导体发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280010835.4

申请日：

2012-01-25

公开(公告)号：

CN103403889B

公开(公告)日：

2013-11-20

发明(设计)人：

小岛章弘下宿幸杉崎吉昭秋元阳介藤井孝佳

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3344

IPC分类号：

H01L3362

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

韩宏;陈松涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-20	公开	公开
2018-07-31	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/44 登记生效日:20180711 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社东芝变更后权利人:东芝电子元件及存储装置株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京
2018-10-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/44 登记生效日:20180921 变更事项:专利权人变更前权利人:东芝电子元件及存储装置株式会社变更后权利人:三星电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:韩国京畿道
2016-09-14	授权	授权
2013-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101551932672 IPC(主分类):H01L 33/44 专利申请号:2012800108354 申请日:20120125

共 50 条

[41]

发光二极管 [P].

杭伟 ;

王洪占 ;

张美 ;

石时曼 .

中国专利 :CN221805559U ,2024-10-01

[42]

发光二极管 [P].

曾晓强 ;

史福星 ;

黄少华 ;

杨力勋 .

中国专利 :CN210607312U ,2020-05-22

[43]

发光二极管 [P].

汪玉 ;

汪琴 ;

桂亮亮 ;

李君杰 ;

周立 ;

林兓兓 .

中国专利 :CN221427762U ,2024-07-26

[44]

交流垂直结构半导体发光二极管 [P].

彭晖 .

中国专利 :CN201717260U ,2011-01-19

[45]

发光二极管 [P].

林素慧 ;

王锋 ;

何安和 ;

黄禹杰 ;

朱秀山 ;

王庆 ;

彭康伟 ;

洪灵愿 .

中国专利 :CN213845300U ,2021-07-30

[46]

发光二极管 [P].

T.王 .

中国专利 :CN102804424A ,2012-11-28

[47]

发光二极管 [P].

芮哲 ;

吴俊磊 ;

夏群 ;

田宇航 ;

魏柏林 ;

田艳红 ;

尹灵峰 .

中国专利 :CN222106753U ,2024-12-03

[48]

发光二极管 [P].

王进 ;

卢怡安 ;

吴俊毅 ;

陶青山 ;

王笃祥 .

中国专利 :CN104091874A ,2014-10-08

[49]

半导体发光二极管路灯 [P].

苑宝义 .

中国专利 :CN200975616Y ,2007-11-14

[50]

半导体发光器件以及制备发光二极管的方法 [P].

江风益 ;

王立 .

中国专利 :CN101840966A ,2010-09-22

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