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半导体发光二极管
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201280010835.4
申请日：
2012-01-25
公开(公告)号：
CN103403889B
公开(公告)日：
2013-11-20
发明(设计)人：
小岛章弘
下宿幸
杉崎吉昭
秋元阳介
藤井孝佳
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L3344
IPC分类号：
H01L3362
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
韩宏;陈松涛
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2013-11-20 | 公开 | 公开 |
| 2018-07-31 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/44 登记生效日:20180711 变更事项:专利权人 变更前权利人:株式会社东芝 变更后权利人:东芝电子元件及存储装置株式会社 变更事项:地址 变更前权利人:日本东京都 变更后权利人:日本东京 |
| 2018-10-16 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/44 登记生效日:20180921 变更事项:专利权人 变更前权利人:东芝电子元件及存储装置株式会社 变更后权利人:三星电子株式会社 变更事项:地址 变更前权利人:日本东京 变更后权利人:韩国京畿道 |
| 2016-09-14 | 授权 | 授权 |
| 2013-12-18 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101551932672 IPC(主分类):H01L 33/44 专利申请号:2012800108354 申请日:20120125 |