半导体发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280010835.4

申请日：

2012-01-25

公开(公告)号：

CN103403889B

公开(公告)日：

2013-11-20

发明(设计)人：

小岛章弘下宿幸杉崎吉昭秋元阳介藤井孝佳

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3344

IPC分类号：

H01L3362

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

韩宏;陈松涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-20	公开	公开
2018-07-31	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/44 登记生效日:20180711 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社东芝变更后权利人:东芝电子元件及存储装置株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京
2018-10-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/44 登记生效日:20180921 变更事项:专利权人变更前权利人:东芝电子元件及存储装置株式会社变更后权利人:三星电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:韩国京畿道
2016-09-14	授权	授权
2013-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101551932672 IPC(主分类):H01L 33/44 专利申请号:2012800108354 申请日:20120125

共 50 条

[21]

半导体发光二极管芯片 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN218004894U ,2022-12-09

[22]

表面发光的半导体发光二极管 [P].

柏恩·克罗斯 ;

薇拉·艾柏罗希莫伐 ;

多斯顿·敦克勒 .

中国专利 :CN102986031A ,2013-03-20

[23]

高亮度半导体发光二极管芯片 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN218351495U ,2023-01-20

[24]

半导体发光二极管组件构造 [P].

古顺延 .

中国专利 :CN202616285U ,2012-12-19

[25]

波长转换半导体发光二极管 [P].

D.西莫尼安 ;

G.巴辛 .

中国专利 :CN102714261A ,2012-10-03

[26]

半导体发光二极管芯片、发光器件及其制造方法 [P].

蔡昇完 ;

金台勋 ;

李守烈 ;

李进馥 ;

金真焕 ;

李承宰 ;

金甫耕 ;

李锺昊 .

中国专利 :CN103180975A ,2013-06-26

[27]

LED发光二极管 [P].

史杰 .

中国专利 :CN1812143A ,2006-08-02

[28]

一种半导体发光二极管 [P].

何晓光 .

中国专利 :CN1601764A ,2005-03-30

[29]

半导体发光二极管(简易封装型) [P].

柯永清 .

中国专利 :CN3553614D ,2006-08-16

[30]

无支架的半导体发光二极管 [P].

祁山 ;

于彤军 ;

秦志新 ;

张国义 .

中国专利 :CN101140965A ,2008-03-12

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