波长转换半导体发光二极管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201080052992.2
申请日
2010-10-22
公开(公告)号
CN102714261A
公开(公告)日
2012-10-03
发明(设计)人
D.西莫尼安 G.巴辛
申请人
申请人地址
荷兰艾恩德霍芬
IPC主分类号
H01L3350
IPC分类号
H01L3364 H01L3356
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
谢建云;汪扬
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体发光二极管 [P]. 
近藤且章 .
中国专利 :CN100416870C ,2004-08-25
[2]
半导体发光二极管 [P]. 
张丽蕾 ;
王刚 ;
邵喜斌 .
中国专利 :CN101308841A ,2008-11-19
[3]
半导体发光二极管 [P]. 
藏本恭介 .
中国专利 :CN101118945A ,2008-02-06
[4]
半导体发光二极管 [P]. 
彭晖 ;
闫春辉 ;
柯志杰 .
中国专利 :CN102420280A ,2012-04-18
[5]
半导体发光二极管 [P]. 
中津弘志 ;
山本修 .
中国专利 :CN1155118C ,2000-03-01
[6]
半导体发光二极管 [P]. 
吴永胜 ;
张帆 .
中国专利 :CN111081833A ,2020-04-28
[7]
半导体发光二极管 [P]. 
郑一权 .
中国专利 :CN101752485A ,2010-06-23
[8]
半导体发光二极管 [P]. 
石川卓哉 ;
荒川智志 ;
向原智一 ;
柏川秋彦 .
中国专利 :CN1256795A ,2000-06-14
[9]
半导体发光二极管 [P]. 
小岛章弘 ;
下宿幸 ;
杉崎吉昭 ;
秋元阳介 ;
藤井孝佳 .
中国专利 :CN103403889B ,2013-11-20
[10]
半导体发光二极管组件 [P]. 
沈佳辉 ;
洪梓健 ;
曾坚信 .
中国专利 :CN102347431A ,2012-02-08