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半导体装置、电子构件及电子设备

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201880034637.9
申请日：
2018-05-25
公开(公告)号：
CN110678974A
公开(公告)日：
2020-01-10
发明(设计)人：
山崎舜平 加藤清 热海知昭
申请人：
申请人地址：
日本神奈川
IPC主分类号：
H01L218242
IPC分类号：
H01L218234 H01L2706 H01L27088 H01L27108 H01L29417 H01L29786
代理机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人：
刘倜
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-05-05 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8242 申请日:20180525
2020-01-10 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体装置、电子构件及电子设备 [P]. 
山崎舜平 ;
加藤清 ;
热海知昭 .
日本专利 :CN117560925A ,2024-02-13
[2]
半导体装置、电子构件及电子设备 [P]. 
黑川义元 .
中国专利 :CN109074296A ,2018-12-21
[3]
半导体装置、电子构件及电子设备 [P]. 
上妻宗广 .
中国专利 :CN108352837A ,2018-07-31
[4]
半导体装置、电子构件及电子设备 [P]. 
八窪裕人 ;
高桥圭 .
中国专利 :CN112041776B ,2020-12-04
[5]
半导体装置及电子设备 [P]. 
福留贵浩 .
中国专利 :CN113314545A ,2021-08-27
[6]
半导体装置及电子设备 [P]. 
福留贵浩 .
日本专利 :CN113314545B ,2024-10-29
[7]
半导体装置及电子设备 [P]. 
福留贵浩 .
中国专利 :CN107534057A ,2018-01-02
[8]
比较电路、半导体装置、电子构件以及电子设备 [P]. 
松嵜隆德 ;
加藤清 .
日本专利 :CN110637415B ,2024-10-01
[9]
比较电路、半导体装置、电子构件以及电子设备 [P]. 
松嵜隆德 ;
加藤清 .
日本专利 :CN119135131A ,2024-12-13
[10]
比较电路、半导体装置、电子构件以及电子设备 [P]. 
松嵜隆德 ;
加藤清 .
中国专利 :CN110637415A ,2019-12-31
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