超小型微电子电路的平面型载体空腔气密性封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200920074300.9

申请日：

2009-07-21

公开(公告)号：

CN201466017U

公开(公告)日：

2010-05-12

发明(设计)人：

邹波华亚平李莉

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号2号楼302室

IPC主分类号：

H01L2312

IPC分类号：

H01L23488 H01L2310 H01L2331

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权质押合同登记的生效、变更及注销

国省代码：

引用

下载

共 50 条

[1]

超小型微电子电路的平面型载体空腔气密性封装方法 [P].

邹波 ;

华亚平 ;

李莉 .

中国专利 :CN101958252A ,2011-01-26

[2]

微电子电路的平面型载体空腔气密性封装方法 [P].

黄飞明 ;

李宗亚 .

中国专利 :CN1638070A ,2005-07-13

[3]

微电子电路的空腔型封装方法 [P].

黄飞明 ;

李宗亚 .

中国专利 :CN1445831A ,2003-10-01

[4]

带内插器的微电子电路封装 [P].

G·范德托普 ;

J·唐 ;

S·托勒 .

中国专利 :CN100350602C ,2004-11-17

[5]

光电子芯片气密性封装结构 [P].

黄寓洋 .

中国专利 :CN213026141U ,2021-04-20

[6]

气密性封装外壳的陶瓷引线结构 [P].

王峰 ;

黄志刚 ;

赵飞 .

中国专利 :CN202196769U ,2012-04-18

[7]

可测试性设计的适应性微电子电路的应用 [P].

L·科斯基宁 ;

N·古普塔 ;

J·西蒙森 .

中国专利 :CN112969927A ,2021-06-15

[8]

可测试性设计的适应性微电子电路的应用 [P].

L·科斯基宁 ;

N·古普塔 ;

J·西蒙森 .

:CN112969927B ,2024-07-19

[9]

一种光电子芯片气密性封装结构 [P].

孙琦 .

中国专利 :CN211605163U ,2020-09-29

[10]

一种光电子芯片气密性封装结构 [P].

杨波 .

中国专利 :CN216871983U ,2022-07-01

← 1 2 3 4 5 →

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-19	专利权质押合同登记的生效、变更及注销	专利权质押合同登记的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101690915251 IPC(主分类):H01L 23/12 专利号:ZL2009200743009 登记号:2014310000001 登记生效日:20140108 出质人:深迪半导体(上海)有限公司质权人:北京银行股份有限公司上海分行实用新型名称:超小型微电子电路的平面型载体空腔气密性封装结构申请日:20090721 授权公告日:20100512
2012-05-30	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101362544402 IPC(主分类):H01L 23/12 专利申请号:2009200743009 专利号:ZL2009200743009 合同备案号:2012320000413 让与人:深迪半导体(上海)有限公司受让人:丹阳深迪亚微电子技术有限公司实用新型名称:超小型微电子电路的平面型载体空腔气密性封装结构申请日:20090721 授权公告日:20100512 许可种类:普通许可备案日期:20120406
2019-08-13	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 23/12 申请日:20090721 授权公告日:20100512
2014-10-08	专利权质押合同登记的生效、变更及注销	专利权质押合同登记的注销号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101705012210 授权公告日:20100512 申请日:20090721 IPC(主分类):H01L 23/12 专利号:ZL2009200743009 登记号:2014310000001 出质人:深迪半导体(上海)有限公司质权人:北京银行股份有限公司上海分行解除日:20140808
2010-11-17	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101041187219 IPC(主分类):H01L 23/12 专利号:ZL2009200743009 变更事项:专利权人变更前:深迪半导体(上海)有限公司变更后:深迪半导体(上海)有限公司变更事项:地址变更前:201203 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号2号楼302室变更后:201203 上海市张江高科技园区晨晖路88号1号楼307室
2010-05-12	授权	授权
2017-04-05	文件的公告送达	文件的公告送达号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101749642029 IPC(主分类):H01L 23/12 专利号:ZL2009200743009 专利申请号:2009200743009 收件人:深迪半导体(上海)有限公司文件名称:手续合格通知书