一种集成肖特基二极管的SiC双沟槽型MOSFET器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710128665.4

申请日：

2017-03-06

公开(公告)号：

CN106876485A

公开(公告)日：

2017-06-20

发明(设计)人：

倪炜江徐妙玲卢小东

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L2706 H01L2978 H01L2177

代理机构：

北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003

代理人：

张宇锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-20	公开	公开
2020-11-10	授权	授权
2017-07-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101734181243 申请日:20170306 IPC(主分类):H01L 29/872 专利申请号:2017101286654

共 50 条

[1]

一种集成肖特基二极管的SiC双沟槽型MOSFET器件 [P].

倪炜江 ;

徐妙玲 ;

卢小东 .

中国专利 :CN206574721U ,2017-10-20

[2]

一种集成肖特基二极管的SiC沟槽型MOSFET器件 [P].

钮应喜 ;

郑柳 ;

杨霏 ;

温家良 ;

潘艳 ;

李永平 ;

王嘉铭 ;

李玲 ;

夏经华 ;

朱韫晖 .

中国专利 :CN205595339U ,2016-09-21

[3]

一种集成肖特基二极管的SiC沟槽型MOSFET器件及其制造方法 [P].

钮应喜 ;

郑柳 ;

杨霏 ;

温家良 ;

潘艳 ;

李永平 ;

王嘉铭 ;

李玲 ;

夏经华 ;

朱韫晖 .

中国专利 :CN105633168A ,2016-06-01

[4]

一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN206574719U ,2017-10-20

[5]

一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN106784008A ,2017-05-31

[6]

一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件 [P].

李轩 ;

肖家木 ;

邓小川 ;

张波 .

中国专利 :CN109256427A ,2019-01-22

[7]

集成肖特基二极管的沟槽MOSFET的制备方法 [P].

黄传伟 .

中国专利 :CN109904152A ,2019-06-18

[8]

一种集成肖特基二极管结构SiC MOSFET器件 [P].

史田超 ;

乔庆楠 ;

朱继红 ;

史文华 ;

彭强 ;

吴良虎 ;

李晓东 ;

朱小飞 ;

左万胜 ;

张晓洪 .

中国专利 :CN213026139U ,2021-04-20

[9]

沟槽型肖特基二极管的制备方法 [P].

刘远良 .

中国专利 :CN104183483A ,2014-12-03

[10]

一种沟槽型肖特基二极管器件 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN112271220A ,2021-01-26

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