一种集成肖特基二极管的SiC沟槽型MOSFET器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201511032546.6

申请日：

2015-12-31

公开(公告)号：

CN105633168A

公开(公告)日：

2016-06-01

发明(设计)人：

钮应喜郑柳杨霏温家良潘艳李永平王嘉铭李玲夏经华朱韫晖

申请人：

申请人地址：

102211 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号（未来科技城）

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2104

代理机构：

北京安博达知识产权代理有限公司 11271

代理人：

徐国文

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-01	公开	公开
2017-01-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700358234 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015110325466 申请日:20151231

共 50 条

[1]

一种集成肖特基二极管的SiC沟槽型MOSFET器件 [P].

钮应喜 ;

郑柳 ;

杨霏 ;

温家良 ;

潘艳 ;

李永平 ;

王嘉铭 ;

李玲 ;

夏经华 ;

朱韫晖 .

中国专利 :CN205595339U ,2016-09-21

[2]

一种集成肖特基二极管的SiC双沟槽型MOSFET器件 [P].

倪炜江 ;

徐妙玲 ;

卢小东 .

中国专利 :CN206574721U ,2017-10-20

[3]

一种集成肖特基二极管的SiC双沟槽型MOSFET器件及其制备方法 [P].

倪炜江 ;

徐妙玲 ;

卢小东 .

中国专利 :CN106876485A ,2017-06-20

[4]

一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件 [P].

李轩 ;

肖家木 ;

邓小川 ;

张波 .

中国专利 :CN109256427A ,2019-01-22

[5]

一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN206574719U ,2017-10-20

[6]

一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN106784008A ,2017-05-31

[7]

集成结势垒肖特基二极管的沟槽型MOSFET器件及制造方法 [P].

于霄恬 .

中国专利 :CN116598359B ,2024-04-19

[8]

肖特基二极管、集成肖特基二极管的LDMOSFET及其制造方法 [P].

宋亮 ;

安丽琪 ;

李永顺 ;

陈新倩 ;

刘新新 ;

罗琳 .

中国专利 :CN119153490A ,2024-12-17

[9]

一种集成肖特基二极管结构SiC MOSFET器件 [P].

史田超 ;

乔庆楠 ;

朱继红 ;

史文华 ;

彭强 ;

吴良虎 ;

李晓东 ;

朱小飞 ;

左万胜 ;

张晓洪 .

中国专利 :CN213026139U ,2021-04-20

[10]

一种沟槽型肖特基二极管器件 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN112271220A ,2021-01-26

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