一种多晶硅表面倒金字塔结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610005713.6

申请日：

2016-01-05

公开(公告)号：

CN105428434A

公开(公告)日：

2016-03-23

发明(设计)人：

蒲天罗旌旺吴兢芮春保

申请人：

申请人地址：

210061 江苏省南京市浦口高新开发区星火路1号

IPC主分类号：

H01L310236

IPC分类号：

代理机构：

南京纵横知识产权代理有限公司 32224

代理人：

董建林

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-18	授权	授权
2016-03-23	公开	公开
2016-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101656293388 IPC(主分类):H01L 31/0236 专利申请号:2016100057136 申请日:20160105

共 50 条

[1]

一种多晶硅表面倒金字塔结构及其制备方法 [P].

蒲天 ;

罗旌旺 ;

吴兢 ;

芮春保 .

中国专利 :CN105047734A ,2015-11-11

[2]

一种硅片及其表面倒金字塔结构制备方法 [P].

王东 ;

金井升 ;

熊诗龙 ;

赵迎财 .

中国专利 :CN111341884A ,2020-06-26

[3]

一种硅片表面倒金字塔结构的制备方法 [P].

刘静 ;

伊福廷 ;

张天冲 ;

王波 ;

张新帅 ;

孙钢杰 .

中国专利 :CN104538283A ,2015-04-22

[4]

一种湿法腐蚀晶体硅倒金字塔结构和正金字塔结构制绒方法 [P].

霍晨亮 .

中国专利 :CN114808144A ,2022-07-29

[5]

一种非光刻技术制备倒金字塔结构硅表面的方法 [P].

王富国 ;

张俊彦 .

中国专利 :CN104733302B ,2015-06-24

[6]

一种多晶硅表面金字塔绒面的刻蚀方法 [P].

梁启超 ;

乔芬 ;

杨健 .

中国专利 :CN108400201A ,2018-08-14

[7]

一种晶体硅倒金字塔结构湿法制绒方法 [P].

霍晨亮 .

中国专利 :CN114678448A ,2022-06-28

[8]

倒金字塔结构的背接触电池及其制备方法 [P].

孙波 ;

李寅 ;

毕明轩 .

中国专利 :CN120813103A ,2025-10-17

[9]

一种具有倒金字塔结构模板的制备方法 [P].

傅欣欣 .

中国专利 :CN103579416A ,2014-02-12

[10]

倒金字塔结构组合的吸热屋顶 [P].

张铭耀 ;

杨龙辉 ;

李哲宇 ;

吴宇烽 ;

张迈 ;

张翔 .

中国专利 :CN207228499U ,2018-04-13

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