半导体器件的测试机及其漏电检测装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720777634.7

申请日：

2017-06-30

公开(公告)号：

CN206990742U

公开(公告)日：

2018-02-09

发明(设计)人：

覃勇华谭碧云都俊兴王丽岩郑小玉

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市福田区福保街道福田保税区桃花路16号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

G01R19165

代理机构：

深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232

代理人：

刘抗美;阙龙燕

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-09	授权	授权

共 50 条

[1]

一种SiC半导体器件栅极漏电检测装置 [P].

艾育林 .

中国专利 :CN217278768U ,2022-08-23

[2]

一种用于SiC半导体器件的栅极漏电检测装置 [P].

郝乐 ;

李钢 ;

常佳峻 ;

张洪叶 ;

罗虎 .

中国专利 :CN120064916A ,2025-05-30

[3]

一种半导体器件高温漏电检测装置及方法 [P].

郭常录 ;

李永高 ;

王强德 ;

顾庆祥 ;

田玉 .

中国专利 :CN120928148A ,2025-11-11

[4]

半导体器件测试机台送料装置 [P].

廖明俊 ;

赵亮 ;

朱正杰 ;

蒋秦苏 .

中国专利 :CN202633259U ,2012-12-26

[5]

半导体测试机 [P].

林俊义 ;

黄俊耀 ;

林建弘 ;

陈柏玮 .

中国专利 :CN223051450U ,2025-07-01

[6]

半导体测试机 [P].

刘子昂 ;

刘伟 ;

陈辉 ;

施贻蒙 ;

李军 .

中国专利 :CN309079639S ,2025-01-21

[7]

漏电检测装置 [P].

盐津兴一 .

中国专利 :CN205051332U ,2016-02-24

[8]

半导体测试机校准装置 [P].

王武林 .

中国专利 :CN209460389U ,2019-10-01

[9]

半导体测试机校准装置 [P].

王浩 ;

王刚 ;

程尧 ;

张伟 .

中国专利 :CN207473074U ,2018-06-08

[10]

半导体器件在位检测装置 [P].

王焕平 .

中国专利 :CN202916452U ,2013-05-01

← 1 2 3 4 5 →