一种用于SiC半导体器件的栅极漏电检测装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510202388.1

申请日：

2025-02-24

公开(公告)号：

CN120064916A

公开(公告)日：

2025-05-30

发明(设计)人：

郝乐李钢常佳峻张洪叶罗虎

申请人：

贵州芯际探索科技有限公司

申请人地址：

550000 贵州省贵阳市花溪区燕楼镇燕楼105号厂房

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R31/52 G01R1/02 G01R1/04

代理机构：

北京季诺知识产权代理事务所(普通合伙) 16245

代理人：

任真真

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

贵州省贵阳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/26申请日:20250224
2025-05-30	公开	公开

共 50 条

[1]

一种SiC半导体器件栅极漏电检测装置 [P].

艾育林 .

中国专利 :CN217278768U ,2022-08-23

[2]

半导体器件的测试机及其漏电检测装置 [P].

覃勇华 ;

谭碧云 ;

都俊兴 ;

王丽岩 ;

郑小玉 .

中国专利 :CN206990742U ,2018-02-09

[3]

一种半导体器件高温漏电检测装置及方法 [P].

郭常录 ;

李永高 ;

王强德 ;

顾庆祥 ;

田玉 .

中国专利 :CN120928148A ,2025-11-11

[4]

具有改善栅极漏电流的半导体器件 [P].

廖航 ;

赵起越 ;

李长安 ;

王超 ;

周春华 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN111682066A ,2020-09-18

[5]

用于半导体器件的栅极结构 [P].

巫凯雄 ;

简珮珊 ;

李泳达 ;

杨建勋 .

中国专利 :CN103177951A ,2013-06-26

[6]

用于半导体器件的栅极结构 [P].

李宗霖 ;

袁锋 ;

叶致锴 ;

赖韦仁 .

中国专利 :CN103296086B ,2013-09-11

[7]

半导体器件栅极的制备方法及半导体器件栅极 [P].

韦钧 ;

夏欢 ;

康佳 ;

闫冬 ;

汪逸航 ;

冯毅伟 ;

张杰 ;

费凡 .

中国专利 :CN118338664A ,2024-07-12

[8]

一种半导体器件的栅极结构及半导体器件 [P].

韩鹏宇 ;

顾庆钊 ;

王翔 .

中国专利 :CN119545879A ,2025-02-28

[9]

用于功率半导体器件的栅极驱动装置 [P].

李基宗 ;

张智雄 ;

郑冈镐 ;

申相哲 ;

张汉根 .

中国专利 :CN111082790A ,2020-04-28

[10]

用于生产沟槽栅极半导体器件的方法和半导体器件 [P].

M·贝利尼 ;

E·布伊特拉戈 ;

W·A·维塔勒 .

:CN119013787A ,2024-11-22

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