一种半导体器件高温漏电检测装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511215924.8

申请日：

2025-08-28

公开(公告)号：

CN120928148A

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

郭常录李永高王强德顾庆祥田玉

申请人：

华羿微电子股份有限公司

申请人地址：

710018 陕西省西安市经济技术开发区高铁新城尚稷路8928号

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R31/52 H02H7/20

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

薛梦

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-11	公开	公开
2025-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/26申请日:20250828

共 50 条

[1]

一种SiC半导体器件栅极漏电检测装置 [P].

艾育林 .

中国专利 :CN217278768U ,2022-08-23

[2]

半导体器件的测试机及其漏电检测装置 [P].

覃勇华 ;

谭碧云 ;

都俊兴 ;

王丽岩 ;

郑小玉 .

中国专利 :CN206990742U ,2018-02-09

[3]

一种用于SiC半导体器件的栅极漏电检测装置 [P].

郝乐 ;

李钢 ;

常佳峻 ;

张洪叶 ;

罗虎 .

中国专利 :CN120064916A ,2025-05-30

[4]

一种功率半导体器件外观检测方法、装置及设备 [P].

冯学裕 .

中国专利 :CN119269508A ,2025-01-07

[5]

一种半导体器件检测用智能检测装置 [P].

姚俊宝 ;

宗川 .

中国专利 :CN120948996A ,2025-11-14

[6]

半导体器件检测装置以及半导体器件检测方法 [P].

柳弘俊 ;

尹芸重 .

中国专利 :CN102778642B ,2012-11-14

[7]

半导体器件检测装置以及半导体器件检测方法 [P].

柳弘俊 ;

尹芸重 .

中国专利 :CN102214549A ,2011-10-12

[8]

一种功率半导体器件终端结构及功率半导体器件 [P].

张中华 ;

刘根 ;

方自力 ;

韩永乐 ;

王光明 ;

苗笑宇 .

中国专利 :CN106992207A ,2017-07-28

[9]

半导体器件漏电流检测方法 [P].

苏鼎杰 ;

黄俊诚 ;

郑敏祺 ;

程仁豪 ;

陈文桥 .

中国专利 :CN101105518A ,2008-01-16

[10]

一种漏电检测装置及方法 [P].

于洋 ;

赵玉敬 ;

潘悦妮 ;

张洁 ;

扈晓明 .

中国专利 :CN118859033A ,2024-10-29

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