接触孔结构形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910056025.2

申请日：

2009-08-06

公开(公告)号：

CN101989570A

公开(公告)日：

2011-03-23

发明(设计)人：

聂佳相

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L213205 H01L21321

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101479155337 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2009100560252 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121101
2011-05-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101068902926 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2009100560252 申请日:20090806
2011-03-23	公开	公开

共 50 条

[1]

结构形成方法 [P].

S·施瓦泽尔 ;

M·恩格尔哈德特 .

中国专利 :CN1209651A ,1999-03-03

[2]

栅极结构形成方法 [P].

罗飞 ;

邹立 .

中国专利 :CN102024691B ,2011-04-20

[3]

接触孔形成方法 [P].

钟政 .

中国专利 :CN101996937A ,2011-03-30

[4]

接触孔形成方法 [P].

杨昌辉 ;

奚裴 ;

肖海波 .

中国专利 :CN102148191B ,2011-08-10

[5]

硅通孔互连结构形成方法 [P].

刘钊 ;

朱虹 ;

高关且 ;

奚民伟 .

中国专利 :CN102054746A ,2011-05-11

[6]

互连结构形成方法 [P].

周鸣 ;

何永根 .

中国专利 :CN102751233A ,2012-10-24

[7]

半导体结构形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655252B ,2016-06-08

[8]

半导体结构形成方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN105632908B ,2016-06-01

[9]

半导体结构形成方法 [P].

宁先捷 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN104576539A ,2015-04-29

[10]

接触孔的形成方法 [P].

彭鑫堂 ;

王永进 ;

杨登峻 .

中国专利 :CN1469434A ,2004-01-21

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