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离子注入方法及离子注入机
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201210454761.5
申请日
:
2012-11-01
公开(公告)号
:
CN102943245A
公开(公告)日
:
2013-02-27
发明(设计)人
:
崔保群
曹耀辉
李志军
路瑞亮
申请人
:
申请人地址
:
066001 河北省秦皇岛市海港区北部工业区揽月街33号
IPC主分类号
:
C23C1448
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2016-01-20
授权
授权
2013-02-27
公开
公开
2013-04-03
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101425919601 IPC(主分类):C23C 14/48 专利申请号:2012104547615 申请日:20121101
共 50 条
[1]
离子注入机
[P].
崔保群
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0
崔保群
;
曹耀辉
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曹耀辉
;
李志军
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李志军
;
路瑞亮
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路瑞亮
.
中国专利
:CN203055853U
,2013-07-10
[2]
离子注入方法及离子注入机
[P].
沈政辉
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沈政辉
.
中国专利
:CN102479655B
,2012-05-30
[3]
离子注入方法及离子注入机
[P].
周真真
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周真真
;
刘厥扬
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刘厥扬
;
胡展源
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胡展源
.
中国专利
:CN110797247B
,2020-02-14
[4]
离子注入电极及离子注入机
[P].
张瑜
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张瑜
;
赵超
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赵超
;
董少龙
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董少龙
;
冯庆龙
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冯庆龙
;
王化涛
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王化涛
.
中国专利
:CN218123347U
,2022-12-23
[5]
离子注入机以及离子注入方法
[P].
陈猛
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机构:
上海超硅半导体股份有限公司
上海超硅半导体股份有限公司
陈猛
;
叶斐
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机构:
上海超硅半导体股份有限公司
上海超硅半导体股份有限公司
叶斐
;
张晨膑
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机构:
上海超硅半导体股份有限公司
上海超硅半导体股份有限公司
张晨膑
.
中国专利
:CN117524824A
,2024-02-06
[6]
离子注入机和采用此离子注入机的离子注入方法
[P].
吴相根
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吴相根
;
文常营
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文常营
;
金定坤
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金定坤
;
金度亨
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金度亨
.
中国专利
:CN1189921C
,1997-09-10
[7]
离子注入机用护板及离子注入机
[P].
吴奥明
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吴奥明
;
李前凤
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李前凤
.
中国专利
:CN212725222U
,2021-03-16
[8]
离子注入转角监控方法及离子注入机
[P].
李稳迪
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李稳迪
;
张立
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张立
;
谢威
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谢威
.
中国专利
:CN110416044B
,2019-11-05
[9]
离子注入机
[P].
付国柱
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付国柱
;
邵喜斌
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邵喜斌
;
荆海
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荆海
;
廖燕平
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廖燕平
;
高文涛
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高文涛
;
史辉琨
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史辉琨
.
中国专利
:CN1547240A
,2004-11-17
[10]
离子注入机
[P].
山下贵敏
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山下贵敏
;
池尻忠司
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池尻忠司
;
田中浩平
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田中浩平
;
赵维江
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赵维江
;
田中秀之
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田中秀之
.
中国专利
:CN101162679B
,2008-04-16
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