氧化物介电体及其制造方法、以及固态电子装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580032577.3

申请日：

2015-07-10

公开(公告)号：

CN106458631A

公开(公告)日：

2017-02-22

发明(设计)人：

下田达也井上聪有贺智纪

申请人：

申请人地址：

日本国石川县能美市旭台一丁目1番地

IPC主分类号：

C01G3300

IPC分类号：

C04B3500 H01G412

代理机构：

北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444

代理人：

龚敏;王刚

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-06	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C01G 33/00 登记生效日:20190816 变更事项:申请人变更前权利人:国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学变更后权利人:国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学变更事项:地址变更前权利人:日本国石川县能美市旭台一丁目1番地变更后权利人:日本国石川县能美市旭台一丁目1番地变更事项:申请人变更前权利人:安达满株式会社变更后权利人:安达满纳米奇精密宝石有限公司
2017-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件序号:101733383362 IPC(主分类):C01G 33/00 专利申请号:2015800325773 申请日:20150710 号牌文件类型代码:1604
2017-02-22	公开	公开
2020-02-07	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化物介电体及其制造方法、氧化物介电体的前体以及固体电子装置及其制造方法 [P].

下田达也 ;

井上聪 ;

有贺智纪 .

中国专利 :CN107004596A ,2017-08-01

[2]

碳化硅－氧化物层叠体及其制造方法以及半导体装置 [P].

山下贤哉 ;

北畠真 ;

楠本修 ;

高桥邦方 ;

内田正雄 ;

宫永良子 .

中国专利 :CN1606140A ,2005-04-13

[3]

复合氧化物膜及其制造方法，复合体及其制造方法、介电材料、压电材料、电容器和电子设备 [P].

白川彰彦 .

中国专利 :CN101351406A ,2009-01-21

[4]

氧化物层叠体及其制造方法 [P].

上冈義弘 ;

笘井重和 ;

胜又聪 ;

久志本真希 ;

出来真斗 ;

本田善央 ;

天野浩 .

中国专利 :CN112888808A ,2021-06-01

[5]

氧化物层叠体及其制造方法 [P].

上冈義弘 ;

笘井重和 ;

胜又聪 ;

久志本真希 ;

出来真斗 ;

本田善央 ;

天野浩 .

日本专利 :CN118685736A ,2024-09-24

[6]

金属氧化物介晶体及其制造方法 [P].

真嵨哲朗 ;

立川贵士 ;

卞振锋 .

中国专利 :CN104955771A ,2015-09-30

[7]

氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

汤田洋平 ;

绵引达郎 ;

宫岛晋介 ;

滝口雄贵 .

日本专利 :CN112544004B ,2024-08-16

[8]

氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

汤田洋平 ;

绵引达郎 ;

宫岛晋介 ;

滝口雄贵 .

中国专利 :CN112544004A ,2021-03-23

[9]

强介电体装置及其制造方法 [P].

酒井滋树 ;

高桥光惠 ;

楠原昌树 ;

都田昌之 ;

梅田优 .

中国专利 :CN105493265A ,2016-04-13

[10]

电介体膜、电介体元件及其制造方法 [P].

长田实 ;

佐佐木高义 .

中国专利 :CN102036918B ,2011-04-27

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