热可靠性能改善的半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98119314.5

申请日：

1998-09-11

公开(公告)号：

CN1212459A

公开(公告)日：

1999-03-31

发明(设计)人：

麻埜和则石仓幸治

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01L2334

IPC分类号：

H01L2158

代理机构：

中科专利代理有限责任公司

代理人：

朱进桂

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-03-10	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2010-10-13	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101009008794 IPC(主分类):H01L 23/34 专利号:ZL981193145 变更事项:专利权人变更前:恩益禧电子股份有限公司变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本神奈川县
1999-03-31	公开	公开
2015-11-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101631809018 IPC(主分类):H01L 23/34 专利号:ZL981193145 申请日:19980911 授权公告日:20040804 终止日期:20140911
2003-02-12	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:日本电气株式会社变更后权利人:NEC化合物半导体器件株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本国东京都变更后权利人:日本神奈川登记生效日:20021219
2006-06-14	专利申请权、专利权的转移专利权的转移	专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更事项:专利权人变更前权利人:NEC化合物半导体器件株式会社变更后权利人:恩益禧电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川变更后权利人:日本神奈川登记生效日:20060512
2004-08-04	授权	授权

共 50 条

[1]

具有改进的机械可靠性和热可靠性的半导体装置 [P].

阿野一章 .

中国专利 :CN101233613A ,2008-07-30

[2]

包括可靠性改善的栅极的功率半导体装置 [P].

李珠焕 ;

金太阳 ;

金信儿 ;

河定穆 ;

姜旻岐 ;

禹赫 ;

黄俊河 .

韩国专利 :CN120500099A ,2025-08-15

[3]

半导体装置的可靠性仿真方法 [P].

小池典雄 .

中国专利 :CN1667810A ,2005-09-14

[4]

一种可靠性改善型半导体器件 [P].

王海军 .

中国专利 :CN113035933A ,2021-06-25

[5]

用于半导体装置性能改善的涂层 [P].

贺小明 ;

张力 ;

陈星建 ;

倪图强 ;

徐朝阳 .

中国专利 :CN103794460A ,2014-05-14

[6]

半导体元件的可靠性评价装置和半导体元件的可靠性评价方法 [P].

河原知洋 ;

和田幸彦 .

中国专利 :CN112334783A ,2021-02-05

[7]

半导体元件的可靠性评价装置和半导体元件的可靠性评价方法 [P].

河原知洋 ;

和田幸彦 .

日本专利 :CN112334783B ,2024-03-22

[8]

包括具有改善的可靠性的栅极结构的功率半导体装置 [P].

李珠焕 ;

禹赫 ;

姜旻岐 ;

河定穆 ;

金太阳 ;

金信儿 ;

黄俊河 .

韩国专利 :CN120500098A ,2025-08-15

[9]

使用介电外壳增强半导体装置的可靠性 [P].

约翰·J·H·雷什 ;

迈克尔·E·约翰逊 ;

盖伊·F·伯吉斯 ;

安东尼·P·柯蒂斯 ;

斯图尔特·利希滕塔尔 .

中国专利 :CN102177575A ,2011-09-07

[10]

半导体可靠性测试结构 [P].

钟贤岱 ;

朱月芹 ;

宋永梁 .

中国专利 :CN206574678U ,2017-10-20

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