使用介电外壳增强半导体装置的可靠性

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980139878.0

申请日：

2009-08-07

公开(公告)号：

CN102177575A

公开(公告)日：

2011-09-07

发明(设计)人：

约翰·J·H·雷什迈克尔·E·约翰逊盖伊·F·伯吉斯安东尼·P·柯蒂斯斯图尔特·利希滕塔尔

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

H01L2348

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

刘晓峰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101131516264 IPC(主分类):H01L 21/60 专利申请号:2009801398780 申请日:20090807
2011-09-07	公开	公开
2014-03-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101697941470 IPC(主分类):H01L 21/60 专利申请号:2009801398780 申请公布日:20110907

共 50 条

[1]

半导体装置的可靠性仿真方法 [P].

小池典雄 .

中国专利 :CN1667810A ,2005-09-14

[2]

具有改进的机械可靠性和热可靠性的半导体装置 [P].

阿野一章 .

中国专利 :CN101233613A ,2008-07-30

[3]

半导体元件的可靠性评价装置和半导体元件的可靠性评价方法 [P].

河原知洋 ;

和田幸彦 .

中国专利 :CN112334783A ,2021-02-05

[4]

半导体元件的可靠性评价装置和半导体元件的可靠性评价方法 [P].

河原知洋 ;

和田幸彦 .

日本专利 :CN112334783B ,2024-03-22

[5]

用于检验介电薄膜可靠性的方法 [P].

严今榕 .

中国专利 :CN1145477A ,1997-03-19

[6]

后端介电材料的可靠性评估方法 [P].

杨盛玮 ;

韩坤 .

中国专利 :CN108508333B ,2018-09-07

[7]

使用电极气密密封的高可靠性半导体装置 [P].

须贺唯知 ;

伊藤寿浩 .

中国专利 :CN1744304A ,2006-03-08

[8]

半导体可靠性测试结构 [P].

钟贤岱 ;

朱月芹 ;

宋永梁 .

中国专利 :CN206574678U ,2017-10-20

[9]

监测半导体存储设备可靠性的方法及其装置 [P].

卢赛文 .

中国专利 :CN101826367A ,2010-09-08

[10]

热可靠性能改善的半导体装置 [P].

麻埜和则 ;

石仓幸治 .

中国专利 :CN1212459A ,1999-03-31

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