高电子迁移率晶体管ESD保护结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910671891.6

申请日：

2019-07-24

公开(公告)号：

CN110783401A

公开(公告)日：

2020-02-11

发明(设计)人：

M·艾曼·谢比卜 C·G·廖

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

娄晓丹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-11	公开	公开
2020-03-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20190724

共 50 条

[1]

高电子迁移率晶体管 [P].

乔夫·德卢伊 .

:CN110754002B ,2024-03-19

[2]

高电子迁移率晶体管 [P].

刘柏均 ;

喻中一 ;

陈祈铭 ;

江振豪 .

中国专利 :CN103943674A ,2014-07-23

[3]

高电子迁移率晶体管 [P].

杨伟臣 ;

何伟志 .

中国专利 :CN120111925A ,2025-06-06

[4]

平面高电子迁移率晶体管 [P].

周翔 .

中国专利 :CN114664943A ,2022-06-24

[5]

高电子迁移率晶体管 [P].

张进成 ;

付小凡 ;

郝跃 ;

马晓华 ;

王冲 ;

陈珂 ;

马俊彩 ;

刘子扬 ;

林志宇 ;

张凯 .

中国专利 :CN102130159A ,2011-07-20

[6]

高电子迁移率晶体管 [P].

刘柏均 ;

喻中一 ;

陈祈铭 ;

江振豪 .

中国专利 :CN110277446A ,2019-09-24

[7]

高电子迁移率晶体管 [P].

刘梅 .

中国专利 :CN109560129A ,2019-04-02

[8]

高电子迁移率晶体管 [P].

张韵 ;

何佳恒 ;

张连 .

中国专利 :CN120018544A ,2025-05-16

[9]

高电子迁移率晶体管 [P].

乔夫·德卢伊 .

中国专利 :CN110754002A ,2020-02-04

[10]

高电子迁移率晶体管 [P].

魏星 ;

王中健 ;

狄增峰 ;

方子韦 .

中国专利 :CN103745989B ,2014-04-23

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