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超结沟槽栅MOSFET和其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111231164.1
申请日：
2021-10-22
公开(公告)号：
CN114023806A
公开(公告)日：
2022-02-08
发明(设计)人：
许昭昭
申请人：
申请人地址：
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L29423
H01L21336
H01L2978
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
刘昌荣
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-02-08 | 公开 | 公开 |
| 2022-02-25 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20211022 |