自对准双重图形的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310654447.6

申请日：

2013-12-05

公开(公告)号：

CN104701158A

公开(公告)日：

2015-06-10

发明(设计)人：

刘佳磊

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-10	公开	公开
2015-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101616039164 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2013106544476 申请日:20131205
2017-09-22	授权	授权

共 50 条

[1]

自对准双重图形工艺侧墙形成方法 [P].

赵健 ;

徐友峰 .

中国专利 :CN110211877A ,2019-09-06

[2]

自对准双重图形的形成方法及半导体结构 [P].

刘忠明 .

中国专利 :CN113921384A ,2022-01-11

[3]

自对准双重图形化方法 [P].

胡华勇 .

中国专利 :CN103681293B ,2014-03-26

[4]

实现自对准型双重图形的方法 [P].

王新鹏 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103578932B ,2014-02-12

[5]

自对准多重图形掩膜的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN105336571A ,2016-02-17

[6]

一种自对准双重图形成像方法 [P].

张利斌 ;

韦亚一 .

中国专利 :CN106200272A ,2016-12-07

[7]

双重图形化的形成方法 [P].

胡华勇 .

中国专利 :CN104752170B ,2015-07-01

[8]

自对准双重图形化方法及其形成的半导体结构 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN111524795A ,2020-08-11

[9]

自对准双重图形化方法及其形成的半导体结构 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN111524795B ,2024-02-27

[10]

一种自对准双重图形化的方法 [P].

李刚 .

中国专利 :CN120164789A ,2025-06-17

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