AlGaN基紫外LED器件及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810432320.2

申请日：

2018-05-08

公开(公告)号：

CN110459652A

公开(公告)日：

2019-11-15

发明(设计)人：

莫海波郭炜蒋洁安高平奇叶继春

申请人：

申请人地址：

315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3304 H01L3306 H01L3312 H01L3314

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王茹;王锋

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-15	公开	公开
2020-10-27	授权	授权
2019-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20180508

共 50 条

[1]

AlGaN基紫外LED外延结构、LED及其制备方法 [P].

舒俊 ;

张彩霞 ;

程金连 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115842079B ,2024-02-02

[2]

AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法 [P].

王巧 ;

刘宁炀 ;

梁锡辉 ;

林丹 ;

胡金花 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN112701196B ,2021-04-23

[3]

AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

刘锐森 ;

孙钱 ;

黄应南 ;

杨勇 .

中国专利 :CN114566574A ,2022-05-31

[4]

AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

刘锐森 ;

孙钱 ;

黄应南 ;

杨勇 .

中国专利 :CN114566574B ,2025-08-01

[5]

AlGaN基紫外LED外延结构 [P].

周启航 .

中国专利 :CN111640828A ,2020-09-08

[6]

非极性AlGaN基紫外LED外延片及制备方法 [P].

朱刘 ;

宋世金 ;

狄聚青 ;

刘浩飞 ;

张新勇 ;

苑汇帛 ;

汤惠淋 .

中国专利 :CN113257969A ,2021-08-13

[7]

具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法 [P].

刘斌 ;

韩涛 ;

张荣 ;

陶涛 ;

谢自力 ;

周玉刚 ;

修向前 ;

陈鹏 ;

陈敦军 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN108615797B ,2018-10-02

[8]

AlGaN基纳米柱阵列紫外LED外延片及其制备方法 [P].

宋世金 ;

雷江涛 ;

纪东 ;

马超群 .

中国专利 :CN117712257A ,2024-03-15

[9]

一种AlGaN基紫外LED外延片及其制备方法 [P].

李述体 ;

李光 ;

王林媛 .

中国专利 :CN108682722A ,2018-10-19

[10]

一种AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

李光 ;

赵平林 ;

廖加成 ;

白耀平 ;

李述体 .

中国专利 :CN109524523B ,2019-03-26

← 1 2 3 4 5 →