一种硅片背面抛光用装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820822046.5

申请日：

2018-05-30

公开(公告)号：

CN208289705U

公开(公告)日：

2018-12-28

发明(设计)人：

洪育维吴泓明黄郁璇钟佑生

申请人：

申请人地址：

450000 河南省郑州市航空港区郑港六路蓝山公馆202号

IPC主分类号：

B24B5702

IPC分类号：

B24B37005 B24B3730 B24B3704 B24B722 C09G102

代理机构：

郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104

代理人：

时立新

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种硅片背面抛光用装置及抛光方法 [P].

洪育维 ;

吴泓明 ;

黄郁璇 ;

钟佑生 .

中国专利 :CN108789163A ,2018-11-13

[2]

一种硅片背面抛光方法 [P].

高勇 ;

顾冠义 .

中国专利 :CN106229375A ,2016-12-14

[3]

一种硅片表面抛光用清洁装置 [P].

李长坤 ;

谢永奕 .

中国专利 :CN217451149U ,2022-09-20

[4]

一种硅片抛光用洗边装置 [P].

吴泓明 ;

钟佑生 ;

陈志刚 ;

周军磊 ;

李常存 .

中国专利 :CN217822673U ,2022-11-15

[5]

一种硅片抛光装置 [P].

陈波 ;

夏洋 ;

李楠 .

中国专利 :CN107154366A ,2017-09-12

[6]

一种改善硅片背面吸笔迹方法 [P].

洪小霞 .

中国专利 :CN119230467A ,2024-12-31

[7]

一种半导体硅片抛光用下载暂存机构 [P].

袁祥龙 ;

刘园 ;

武卫 ;

刘建伟 ;

由佰玲 ;

孙晨光 ;

王彦君 ;

常雪岩 ;

裴坤羽 ;

祝斌 ;

刘姣龙 ;

张宏杰 ;

谢艳 ;

杨春雪 ;

刘秒 ;

吕莹 ;

徐荣清 .

中国专利 :CN213889515U ,2021-08-06

[8]

一种单晶硅片背面抛光方法及硅片 [P].

韩雅楠 ;

刘海金 ;

庞瑞卿 ;

吕闯 ;

时宝 ;

林纲正 ;

陈刚 .

中国专利 :CN113539813B ,2021-10-22

[9]

一种多晶硅片背面抛光工艺 [P].

苏世杰 ;

李强强 ;

张玉前 ;

郭俊 ;

张欢 .

中国专利 :CN107492489A ,2017-12-19

[10]

一种硅片抛光方法及装置 [P].

陈波 ;

夏洋 ;

李楠 .

中国专利 :CN107154351B ,2017-09-12

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