一种制备氮化镓单晶衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610144316.3

申请日：

2006-12-01

公开(公告)号：

CN100505165C

公开(公告)日：

2007-07-11

发明(设计)人：

张国义康香宁吴洁君赵璐冰童玉珍杨志坚

申请人：

申请人地址：

523500广东省东莞市企石镇科技工业园

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙）

代理人：

贾晓玲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-07-11	公开	公开
2007-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-06-24	授权	授权

共 50 条

[1]

一种氮化镓单晶衬底及制备方法 [P].

吕松阳 ;

张雷 ;

王守志 ;

邵慧慧 ;

王国栋 ;

俞娇仙 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN118932489A ,2024-11-12

[2]

氮化镓单晶衬底的制备方法 [P].

卢敬权 ;

庄文荣 ;

孙明 .

中国专利 :CN111769036A ,2020-10-13

[3]

氮化镓单晶衬底的制备方法 [P].

卢敬权 ;

庄文荣 ;

孙明 .

中国专利 :CN111681946B ,2020-09-18

[4]

一种通过预制裂纹制备氮化镓单晶衬底的方法 [P].

吴洁君 ;

刘南柳 ;

李文辉 ;

康香宁 ;

张国义 .

中国专利 :CN103834999B ,2014-06-04

[5]

一种通过表面改性自分离制备氮化镓单晶衬底的方法 [P].

吴洁君 ;

张国义 ;

罗伟科 ;

于彤军 ;

康香宁 ;

杨志坚 .

中国专利 :CN103114332A ,2013-05-22

[6]

一种通过机械去除法制备氮化镓单晶衬底的方法 [P].

吴洁君 ;

王新强 ;

张国义 ;

于彤军 ;

康香宁 .

中国专利 :CN103021946A ,2013-04-03

[7]

氮化镓单晶的制备方法 [P].

刘良宏 ;

庄德津 .

中国专利 :CN102140680A ,2011-08-03

[8]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN115233309B ,2024-01-12

[9]

一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法 [P].

张国义 ;

杨志坚 ;

方浩 ;

李丁 ;

桑立雯 ;

陶岳彬 ;

康香宁 ;

孙永健 ;

陆羽 ;

赵璐冰 .

中国专利 :CN101685768A ,2010-03-31

[10]

氮化镓单晶衬底及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 ;

松岛政人 .

中国专利 :CN1148810C ,1999-12-08

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