一种通过机械去除法制备氮化镓单晶衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210517452.8

申请日：

2012-12-05

公开(公告)号：

CN103021946A

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

吴洁君王新强张国义于彤军康香宁

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L2178

IPC分类号：

C30B3300 C30B2518 C30B2302 C30B2940

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360

代理人：

张肖琪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-03	公开	公开
2015-05-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101714953080 IPC(主分类):H01L 21/78 专利申请号:2012105174528 申请公布日:20130403
2013-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101448949254 IPC(主分类):H01L 21/78 专利申请号:2012105174528 申请日:20121205

共 50 条

[1]

一种通过预制裂纹制备氮化镓单晶衬底的方法 [P].

吴洁君 ;

刘南柳 ;

李文辉 ;

康香宁 ;

张国义 .

中国专利 :CN103834999B ,2014-06-04

[2]

一种制备氮化镓单晶衬底的方法 [P].

张国义 ;

康香宁 ;

吴洁君 ;

赵璐冰 ;

童玉珍 ;

杨志坚 .

中国专利 :CN100505165C ,2007-07-11

[3]

氮化镓单晶衬底的制备方法 [P].

卢敬权 ;

庄文荣 ;

孙明 .

中国专利 :CN111681946B ,2020-09-18

[4]

一种通过表面改性自分离制备氮化镓单晶衬底的方法 [P].

吴洁君 ;

张国义 ;

罗伟科 ;

于彤军 ;

康香宁 ;

杨志坚 .

中国专利 :CN103114332A ,2013-05-22

[5]

氮化镓单晶衬底的制备方法 [P].

卢敬权 ;

庄文荣 ;

孙明 .

中国专利 :CN111769036A ,2020-10-13

[6]

一种氮化镓单晶衬底及制备方法 [P].

吕松阳 ;

张雷 ;

王守志 ;

邵慧慧 ;

王国栋 ;

俞娇仙 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN118932489A ,2024-11-12

[7]

氮化镓单晶的制备方法 [P].

刘良宏 ;

庄德津 .

中国专利 :CN102140680A ,2011-08-03

[8]

一种通过缺陷应力去除技术自分离氮化镓单晶材料制备自支撑衬底的方法 [P].

吴洁君 ;

张国义 ;

刘南柳 ;

康香宁 ;

李文辉 ;

钟良兆 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN102828239A ,2012-12-19

[9]

制备氮化镓单晶薄膜的方法 [P].

陈弘 ;

韩英军 ;

周均铭 ;

于洪波 ;

黄绮 .

中国专利 :CN1500919A ,2004-06-02

[10]

氮化镓单晶的制备方法 [P].

刘良宏 ;

庄德津 .

中国专利 :CN102220640B ,2011-10-19

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