一种通过预制裂纹制备氮化镓单晶衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410090016.6

申请日：

2014-03-12

公开(公告)号：

CN103834999B

公开(公告)日：

2014-06-04

发明(设计)人：

吴洁君刘南柳李文辉康香宁张国义

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B2518

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360

代理人：

王岩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583467149 IPC(主分类):C30B 29/40 专利申请号:2014100900166 申请日:20140312
2014-06-04	公开	公开
2016-05-25	授权	授权

共 50 条

[1]

一种通过表面改性自分离制备氮化镓单晶衬底的方法 [P].

吴洁君 ;

张国义 ;

罗伟科 ;

于彤军 ;

康香宁 ;

杨志坚 .

中国专利 :CN103114332A ,2013-05-22

[2]

一种制备氮化镓单晶衬底的方法 [P].

张国义 ;

康香宁 ;

吴洁君 ;

赵璐冰 ;

童玉珍 ;

杨志坚 .

中国专利 :CN100505165C ,2007-07-11

[3]

一种通过机械去除法制备氮化镓单晶衬底的方法 [P].

吴洁君 ;

王新强 ;

张国义 ;

于彤军 ;

康香宁 .

中国专利 :CN103021946A ,2013-04-03

[4]

氮化镓单晶衬底的制备方法 [P].

卢敬权 ;

庄文荣 ;

孙明 .

中国专利 :CN111769036A ,2020-10-13

[5]

氮化镓单晶衬底的制备方法 [P].

卢敬权 ;

庄文荣 ;

孙明 .

中国专利 :CN111681946B ,2020-09-18

[6]

一种氮化镓单晶衬底及制备方法 [P].

吕松阳 ;

张雷 ;

王守志 ;

邵慧慧 ;

王国栋 ;

俞娇仙 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN118932489A ,2024-11-12

[7]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN115233309B ,2024-01-12

[8]

氮化镓单晶衬底及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 ;

松岛政人 .

中国专利 :CN1148810C ,1999-12-08

[9]

制备氮化镓单晶薄膜的方法 [P].

陈弘 ;

韩英军 ;

周均铭 ;

于洪波 ;

黄绮 .

中国专利 :CN1500919A ,2004-06-02

[10]

氮化镓单晶的制备方法 [P].

刘良宏 ;

庄德津 .

中国专利 :CN102140680A ,2011-08-03

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