用于高功率半导体器件的射流冲击冷却

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011046479.4

申请日：

2020-09-29

公开(公告)号：

CN112652586A

公开(公告)日：

2021-04-13

发明(设计)人：

J·E·盖勒维

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那

IPC主分类号：

H01L23367

IPC分类号：

H01L23433 H01L23473

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

郭万方

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-13	公开	公开

共 50 条

[1]

用于半导体器件的射流冲击冷却组件及其制造方法、射流板组件 [P].

约翰·穆肯 .

美国专利 :CN117529012A ,2024-02-06

[2]

用于高功率半导体器件的射流喷射散热片 [P].

伊昶善 ;

全五燮 .

美国专利 :CN119404310A ,2025-02-07

[3]

用于功率半导体器件的冷却系统 [P].

B·S·曼 ;

G·R·伍迪 ;

T·G·沃德 ;

D·F·内尔森 .

中国专利 :CN101510534A ,2009-08-19

[4]

功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

D·特拉塞尔 ;

H·拜尔 ;

M·马利基 .

:CN116830247B ,2024-08-09

[5]

用于冷却变流器的功率半导体器件的装置 [P].

B·迪德里希 ;

T·兰多 .

中国专利 :CN113228838A ,2021-08-06

[6]

用于冷却变流器的功率半导体器件的装置 [P].

B·迪德里希 ;

T·兰多 .

德国专利 :CN113228838B ,2024-05-24

[7]

高速高功率半导体器件 [P].

Y·杜 ;

V·阿帕林 ;

R·吉尔摩 .

中国专利 :CN103380497A ,2013-10-30

[8]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

U·维穆拉帕蒂 ;

J·沃贝基 ;

T·维克斯特罗 ;

T·斯蒂亚斯尼 .

:CN120677849A ,2025-09-19

[9]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

R·奥特伦巴 ;

G·郎格尔 ;

P·弗兰克 ;

A·海因里希 ;

A·卢德施特克-佩希洛夫 ;

D·佩多内 .

中国专利 :CN113140537A ,2021-07-20

[10]

功率半导体器件及用于制造功率半导体器件的方法 [P].

李光远 ;

徐永浩 ;

马丁·多梅杰 ;

朴金硕 .

中国专利 :CN112397590A ,2021-02-23

← 1 2 3 4 5 →