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用于半导体器件的射流冲击冷却组件及其制造方法、射流板组件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202310967258.8
申请日
:
2023-08-02
公开(公告)号
:
CN117529012A
公开(公告)日
:
2024-02-06
发明(设计)人
:
约翰·穆肯
申请人
:
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址
:
美国亚利桑那州
IPC主分类号
:
H05K7/20
IPC分类号
:
代理机构
:
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人
:
王娜丽;姚开丽
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-02-21
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H05K 7/20申请日:20230802
2024-02-06
公开
公开
共 50 条
[1]
用于高功率半导体器件的射流冲击冷却
[P].
J·E·盖勒维
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
J·E·盖勒维
.
中国专利
:CN112652586A
,2021-04-13
[2]
半导体器件组件及其制造方法
[P].
许履尘
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
许履尘
;
杨志超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨志超
;
杰克·A·曼德尔曼
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杰克·A·曼德尔曼
.
中国专利
:CN101026122B
,2007-08-29
[3]
半导体器件、半导体组件及半导体器件的制造方法
[P].
岩崎俊宽
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
岩崎俊宽
.
中国专利
:CN1591863A
,2005-03-09
[4]
半导体器件的制造方法、半导体器件及半导体组件
[P].
杨国文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨国文
;
唐松
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
唐松
.
中国专利
:CN112152086A
,2020-12-29
[5]
半导体器件组件和用于生产半导体器件组件的方法
[P].
常洁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
半导体元件工业有限责任公司
半导体元件工业有限责任公司
常洁
;
白钟焕
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
半导体元件工业有限责任公司
半导体元件工业有限责任公司
白钟焕
;
李根赫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
半导体元件工业有限责任公司
半导体元件工业有限责任公司
李根赫
.
美国专利
:CN119864331A
,2025-04-22
[6]
半导体器件封装组件及其制造方法
[P].
林承园
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
半导体元件工业有限责任公司
半导体元件工业有限责任公司
林承园
;
金正大
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
半导体元件工业有限责任公司
半导体元件工业有限责任公司
金正大
;
全五燮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
半导体元件工业有限责任公司
半导体元件工业有限责任公司
全五燮
;
李秉玉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
半导体元件工业有限责任公司
半导体元件工业有限责任公司
李秉玉
.
美国专利
:CN118016606A
,2024-05-10
[7]
半导体器件封装组件及其制造方法
[P].
林承園
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
半导体元件工业有限责任公司
半导体元件工业有限责任公司
林承園
;
金正大
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
半导体元件工业有限责任公司
半导体元件工业有限责任公司
金正大
;
全五燮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
半导体元件工业有限责任公司
半导体元件工业有限责任公司
全五燮
.
美国专利
:CN112447615B
,2025-05-23
[8]
半导体器件封装组件及其制造方法
[P].
林承園
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林承園
;
金正大
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
金正大
;
全五燮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
全五燮
.
中国专利
:CN112447615A
,2021-03-05
[9]
半导体器件、半导体组件及制造方法
[P].
曹永万
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曹永万
.
中国专利
:CN102768848A
,2012-11-07
[10]
SiC组件、功率半导体器件以及用于制造用于功率半导体器件的SiC组件的方法
[P].
A·米哈埃拉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
日立能源有限公司
日立能源有限公司
A·米哈埃拉
;
F·鲍尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
日立能源有限公司
日立能源有限公司
F·鲍尔
;
V·桑达拉莫西
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
日立能源有限公司
日立能源有限公司
V·桑达拉莫西
.
:CN120898290A
,2025-11-04
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