用于半导体器件的射流冲击冷却组件及其制造方法、射流板组件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202310967258.8
申请日
2023-08-02
公开(公告)号
CN117529012A
公开(公告)日
2024-02-06
发明(设计)人
约翰·穆肯
申请人
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址
美国亚利桑那州
IPC主分类号
H05K7/20
IPC分类号
代理机构
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人
王娜丽;姚开丽
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
用于高功率半导体器件的射流冲击冷却 [P]. 
J·E·盖勒维 .
中国专利 :CN112652586A ,2021-04-13
[2]
半导体器件组件及其制造方法 [P]. 
许履尘 ;
杨志超 ;
杰克·A·曼德尔曼 .
中国专利 :CN101026122B ,2007-08-29
[3]
半导体器件、半导体组件及半导体器件的制造方法 [P]. 
岩崎俊宽 .
中国专利 :CN1591863A ,2005-03-09
[4]
半导体器件的制造方法、半导体器件及半导体组件 [P]. 
杨国文 ;
唐松 .
中国专利 :CN112152086A ,2020-12-29
[5]
半导体器件组件和用于生产半导体器件组件的方法 [P]. 
常洁 ;
白钟焕 ;
李根赫 .
美国专利 :CN119864331A ,2025-04-22
[6]
半导体器件封装组件及其制造方法 [P]. 
林承园 ;
金正大 ;
全五燮 ;
李秉玉 .
美国专利 :CN118016606A ,2024-05-10
[7]
半导体器件封装组件及其制造方法 [P]. 
林承園 ;
金正大 ;
全五燮 .
美国专利 :CN112447615B ,2025-05-23
[8]
半导体器件封装组件及其制造方法 [P]. 
林承園 ;
金正大 ;
全五燮 .
中国专利 :CN112447615A ,2021-03-05
[9]
半导体器件、半导体组件及制造方法 [P]. 
曹永万 .
中国专利 :CN102768848A ,2012-11-07
[10]
SiC组件、功率半导体器件以及用于制造用于功率半导体器件的SiC组件的方法 [P]. 
A·米哈埃拉 ;
F·鲍尔 ;
V·桑达拉莫西 .
:CN120898290A ,2025-11-04