半导体器件、半导体组件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210020832.0

申请日：

2012-01-30

公开(公告)号：

CN102768848A

公开(公告)日：

2012-11-07

发明(设计)人：

曹永万

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G11C712

IPC分类号：

H01L23528 H01L21768

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

顾红霞;何胜勇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-07	公开	公开
2014-12-24	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101708870755 IPC(主分类):G11C 7/12 专利申请号:2012100208320 申请公布日:20121107

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体组件及半导体器件的制造方法 [P].

岩崎俊宽 .

中国专利 :CN1591863A ,2005-03-09

[2]

半导体器件的制造方法、半导体器件及半导体组件 [P].

杨国文 ;

唐松 .

中国专利 :CN112152086A ,2020-12-29

[3]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

菊池善明 ;

若林整 .

中国专利 :CN101997032B ,2011-03-30

[4]

半导体器件、半导体晶片、半导体组件及半导体器件的制造方法 [P].

荻野雅彦 ;

上野巧 ;

江口州志 ;

永井晃 ;

佐藤俊也 ;

石井利昭 ;

小角博义 ;

濑川正则 ;

露野円丈 ;

西村朝雄 ;

安生一郎 .

中国专利 :CN100487888C ,2000-07-19

[5]

半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

山田永 ;

横山正史 ;

金相贤 ;

张睿 ;

竹中充 ;

高木信一 ;

安田哲二 .

中国专利 :CN103563069A ,2014-02-05

[6]

半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

高田朋幸 ;

山田永 ;

秦雅彦 ;

高木信一 ;

前田辰郎 ;

卜部友二 ;

安田哲二 .

中国专利 :CN103548133A ,2014-01-29

[7]

半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

山田永 ;

横山正史 ;

金相贤 ;

竹中充 ;

高木信一 ;

安田哲二 .

中国专利 :CN103563068A ,2014-02-05

[8]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

谷垣勇刚 ;

藤原健典 .

中国专利 :CN106133876A ,2016-11-16

[9]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

长田昌也 .

中国专利 :CN107425028B ,2017-12-01

[10]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101621073A ,2010-01-06

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