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SiC组件、功率半导体器件以及用于制造用于功率半导体器件的SiC组件的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202480017598.7
申请日：
2024-02-21
公开(公告)号：
CN120898290A
公开(公告)日：
2025-11-04
发明(设计)人：
A·米哈埃拉 F·鲍尔 V·桑达拉莫西
申请人：
日立能源有限公司
申请人地址：
瑞士苏黎世
IPC主分类号：
H01L23/373
IPC分类号：
H10D62/832
代理机构：
北京市汉坤律师事务所 11602
代理人：
魏小薇;吴丽丽
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-04 公开 公开
2025-11-21 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/373申请日:20240221
共 50 条
[1]
功率半导体器件以及用于制造功率半导体器件的方法 [P]. 
H·库拉斯 .
中国专利 :CN104517917B ,2015-04-15
[2]
功率半导体器件及用于制造功率半导体器件的方法 [P]. 
李光远 ;
徐永浩 ;
马丁·多梅杰 ;
朴金硕 .
中国专利 :CN112397590A ,2021-02-23
[3]
功率半导体器件以及制造功率半导体器件的方法 [P]. 
让·米切尔·雷内斯 ;
斯特凡·阿尔维斯 ;
阿兰·德朗 ;
布兰迪诺·洛佩斯 ;
乔尔·马尔盖里塔 .
中国专利 :CN101228636A ,2008-07-23
[4]
包括SiC半导体主体的功率半导体器件 [P]. 
A·许尔纳 ;
M·赫尔 ;
T·艾兴格 .
德国专利 :CN119653828A ,2025-03-18
[5]
功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P]. 
U·维穆拉帕蒂 ;
J·沃贝基 ;
T·维克斯特罗 ;
T·斯蒂亚斯尼 .
:CN120677849A ,2025-09-19
[6]
功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P]. 
R·奥特伦巴 ;
G·郎格尔 ;
P·弗兰克 ;
A·海因里希 ;
A·卢德施特克-佩希洛夫 ;
D·佩多内 .
中国专利 :CN113140537A ,2021-07-20
[7]
用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P]. 
S·沃思 ;
L·克诺尔 .
:CN119422224A ,2025-02-11
[8]
功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P]. 
A·米哈埃拉 ;
G·罗马诺 ;
L·克诺尔 ;
N·多纳托 ;
F·乌德雷亚 .
:CN120615332A ,2025-09-09
[9]
功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P]. 
A·韦迪 ;
C·埃勒斯 ;
A·昂劳 .
中国专利 :CN113206051A ,2021-08-03
[10]
功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P]. 
S·沃思 ;
L·诺尔 .
:CN119547578A ,2025-02-28
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