碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110000519.6
申请日
2011-01-04
公开(公告)号
CN102130021B
公开(公告)日
2011-07-20
发明(设计)人
丁荣军 罗海辉 雷云 李继鲁 吴煜东 刘国友 彭勇殿 张明 温家良 金锐
申请人
申请人地址
412001 湖南省株洲市石峰区时代路
IPC主分类号
H01L2150
IPC分类号
H01L2158 H01L2160 H01L23488 H01L2329 H01L2500
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
逯长明;王宝筠
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块 [P]. 
丁荣军 ;
罗海辉 ;
刘博 ;
曾文彬 ;
雷云 ;
吴煜东 ;
刘国友 ;
彭勇殿 ;
张明 .
中国专利 :CN102148169A ,2011-08-10
[2]
碳化硅功率模块和碳化硅功率模块的制造方法 [P]. 
于亮 ;
赵慧超 ;
暴杰 .
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[3]
碳化硅功率模块 [P]. 
袁恬 ;
施刚 .
中国专利 :CN309529830S ,2025-10-03
[4]
碳化硅功率模块 [P]. 
杨柳 ;
孙军 ;
碟明林幹也 ;
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[5]
碳化硅功率模块 [P]. 
杨柳 ;
孙军 ;
碟明林幹也 ;
和巍巍 .
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[6]
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[7]
易散热的碳化硅功率模块 [P]. 
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[8]
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[9]
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[10]
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