图形化氮化镓基发光外延片、发光芯片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110293138.1

申请日：

2011-09-30

公开(公告)号：

CN102306693A

公开(公告)日：

2012-01-04

发明(设计)人：

潘群峰吴志强林科闯

申请人：

申请人地址：

361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-04	公开	公开
2012-02-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101190915188 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:2011102931381 申请日:20110930
2013-02-13	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101511997455 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:2011102931381 变更事项:申请人变更前权利人:厦门市三安光电科技有限公司变更后权利人:安徽三安光电有限公司变更事项:地址变更前权利人:361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号变更后权利人:241000 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号登记生效日:20130108
2014-01-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101686141208 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:2011102931381 申请公布日:20120104

共 50 条

[1]

一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

王群 ;

郭炳磊 ;

葛永晖 ;

吕蒙普 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109273571B ,2019-01-25

[2]

氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法 [P].

王孟源 ;

陈国聪 .

中国专利 :CN101604715A ,2009-12-16

[3]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

刘旺平 ;

乔楠 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109920889A ,2019-06-21

[4]

氮化镓基外延片及氮化镓基发光二极管 [P].

曾家明 ;

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN218039254U ,2022-12-13

[5]

一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

葛永晖 ;

郭炳磊 ;

王群 ;

吕蒙普 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109860359B ,2019-06-07

[6]

一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

刘旺平 ;

乔楠 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109786529B ,2019-05-21

[7]

一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

葛永晖 ;

郭炳磊 ;

王群 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109309150A ,2019-02-05

[8]

一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

葛永晖 ;

郭炳磊 ;

王群 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109360872B ,2019-02-19

[9]

一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

葛永晖 ;

郭炳磊 ;

曹阳 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109273569B ,2019-01-25

[10]

一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

葛永晖 ;

郭炳磊 ;

王群 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN108493310B ,2018-09-04

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