半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610006648.9

申请日：

2016-01-06

公开(公告)号：

CN106952863A

公开(公告)日：

2017-07-14

发明(设计)人：

何其暘胡敏达

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-10	授权	授权
2017-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101739964962 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2016100066489 申请日:20160106
2017-07-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

王彦 .

中国专利 :CN106935503A ,2017-07-07

[2]

半导体器件的形成方法 [P].

晏文康 ;

蒋燚 .

中国专利 :CN119993835A ,2025-05-13

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

王瑞 ;

王海平 ;

杨啸 ;

蒋燚 .

中国专利 :CN120149260A ,2025-06-13

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN102903667B ,2013-01-30

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

张城龙 ;

刘盼盼 ;

郑二虎 .

中国专利 :CN109411332A ,2019-03-01

[6]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

高健 ;

李天宇 ;

石俊 ;

殷然 ;

杨红心 ;

陈彬 .

中国专利 :CN121038288A ,2025-11-28

[7]

半导体器件的形成方法 [P].

王冬江 ;

张翼英 ;

张海洋 .

中国专利 :CN104124150A ,2014-10-29

[8]

半导体器件的形成方法 [P].

胡华勇 .

中国专利 :CN104810253B ,2015-07-29

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

纪世良 ;

刘盼盼 .

中国专利 :CN113363149A ,2021-09-07

[10]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

孟晓莹 ;

韩秋华 .

中国专利 :CN106486365A ,2017-03-08

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