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半导体器件的形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201511025300.6
申请日
:
2015-12-30
公开(公告)号
:
CN106935503A
公开(公告)日
:
2017-07-07
发明(设计)人
:
张海洋
王彦
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
:
H01L21336
IPC分类号
:
H01L2128
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
吴敏
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-07-02
授权
授权
2017-08-01
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101738372102 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015110253006 申请日:20151230
2017-07-07
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体器件的形成方法
[P].
张海洋
论文数:
0
引用数:
0
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0
张海洋
;
张城龙
论文数:
0
引用数:
0
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0
张城龙
.
中国专利
:CN106158611B
,2016-11-23
[2]
半导体器件的形成方法
[P].
周飞
论文数:
0
引用数:
0
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0
周飞
.
中国专利
:CN107785269A
,2018-03-09
[3]
半导体器件的形成方法
[P].
张海洋
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0
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0
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0
张海洋
;
张城龙
论文数:
0
引用数:
0
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0
张城龙
.
中国专利
:CN106158645A
,2016-11-23
[4]
半导体器件的形成方法
[P].
李凤莲
论文数:
0
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李凤莲
;
倪景华
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0
倪景华
.
中国专利
:CN106847694B
,2017-06-13
[5]
半导体器件的形成方法
[P].
何其暘
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0
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0
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0
何其暘
;
胡敏达
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0
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0
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胡敏达
.
中国专利
:CN106952863A
,2017-07-14
[6]
半导体器件及其形成方法
[P].
张城龙
论文数:
0
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0
张城龙
;
何其暘
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何其暘
;
张海洋
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张海洋
.
中国专利
:CN106558608B
,2017-04-05
[7]
半导体器件及其形成方法
[P].
三重野文健
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0
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三重野文健
.
中国专利
:CN103715134B
,2014-04-09
[8]
半导体器件及其形成方法
[P].
三重野文健
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0
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0
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三重野文健
.
中国专利
:CN104217992A
,2014-12-17
[9]
半导体器件的形成方法
[P].
黄敬勇
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黄敬勇
;
何其暘
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0
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0
何其暘
.
中国专利
:CN106298669A
,2017-01-04
[10]
半导体器件的形成方法
[P].
李乐
论文数:
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李乐
.
中国专利
:CN103295953A
,2013-09-11
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