半导体器件的形成方法

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专利类型
发明
申请号
CN201511025300.6
申请日
2015-12-30
公开(公告)号
CN106935503A
公开(公告)日
2017-07-07
发明(设计)人
张海洋 王彦
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L2128
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
吴敏
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件的形成方法 [P]. 
张海洋 ;
张城龙 .
中国专利 :CN106158611B ,2016-11-23
[2]
半导体器件的形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN107785269A ,2018-03-09
[3]
半导体器件的形成方法 [P]. 
张海洋 ;
张城龙 .
中国专利 :CN106158645A ,2016-11-23
[4]
半导体器件的形成方法 [P]. 
李凤莲 ;
倪景华 .
中国专利 :CN106847694B ,2017-06-13
[5]
半导体器件的形成方法 [P]. 
何其暘 ;
胡敏达 .
中国专利 :CN106952863A ,2017-07-14
[6]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
张城龙 ;
何其暘 ;
张海洋 .
中国专利 :CN106558608B ,2017-04-05
[7]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN103715134B ,2014-04-09
[8]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN104217992A ,2014-12-17
[9]
半导体器件的形成方法 [P]. 
黄敬勇 ;
何其暘 .
中国专利 :CN106298669A ,2017-01-04
[10]
半导体器件的形成方法 [P]. 
李乐 .
中国专利 :CN103295953A ,2013-09-11