半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710706018.7

申请日：

2017-08-17

公开(公告)号：

CN109411332A

公开(公告)日：

2019-03-01

发明(设计)人：

张城龙刘盼盼郑二虎

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

H01L21266 H01L213065

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/027 申请日:20170817
2020-08-07	授权	授权
2019-03-01	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

何其暘 ;

胡敏达 .

中国专利 :CN106952863A ,2017-07-14

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

胡恬 ;

胡毓祥 ;

郭宏瑞 ;

余振华 .

中国专利 :CN111129254B ,2020-05-08

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

菅原健太 ;

野濑幸则 .

中国专利 :CN110176492A ,2019-08-27

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

林孟汉 ;

吴伟成 .

中国专利 :CN110718554B ,2020-01-21

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN108807377A ,2018-11-13

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

郑明达 ;

吕文雄 ;

康金玮 ;

庄咏涵 ;

毛隆凯 ;

林永胜 .

中国专利 :CN113517200A ,2021-10-19

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

杨松鑫 ;

郑宗期 ;

萧茹雄 .

中国专利 :CN113809014A ,2021-12-17

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

杨松鑫 ;

郑宗期 ;

萧茹雄 .

中国专利 :CN113809014B ,2024-09-17

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

菅原健太 ;

野濑幸则 .

日本专利 :CN110176492B ,2024-03-01

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

郑明达 ;

吕文雄 ;

康金玮 ;

庄咏涵 ;

毛隆凯 ;

林永胜 .

中国专利 :CN113517200B ,2024-06-07

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