半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110314319.1

申请日：

2021-03-24

公开(公告)号：

CN113517200A

公开(公告)日：

2021-10-19

发明(设计)人：

郑明达吕文雄康金玮庄咏涵毛隆凯林永胜

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2148

IPC分类号：

H01L23485

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/48 申请日:20210324
2021-10-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

郑明达 ;

吕文雄 ;

康金玮 ;

庄咏涵 ;

毛隆凯 ;

林永胜 .

中国专利 :CN113517200B ,2024-06-07

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

蔡柏豪 ;

郑明达 ;

吕文雄 ;

刘旭伦 ;

吴凯第 ;

林素妃 .

中国专利 :CN113363174B ,2025-07-25

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

蔡柏豪 ;

郑明达 ;

吕文雄 ;

刘旭伦 ;

吴凯第 ;

林素妃 .

中国专利 :CN113363174A ,2021-09-07

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

庄其毅 ;

陈豪育 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN113675194A ,2021-11-19

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

胡恬 ;

胡毓祥 ;

郭宏瑞 ;

余振华 .

中国专利 :CN111129254B ,2020-05-08

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

张城龙 ;

刘盼盼 ;

郑二虎 .

中国专利 :CN109411332A ,2019-03-01

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

郑明达 ;

李梓光 ;

刘浩君 ;

蔡柏豪 ;

林志贤 ;

萧景文 .

中国专利 :CN113363160B ,2024-07-12

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

周智超 ;

庄正吉 ;

王志豪 ;

蔡庆威 .

中国专利 :CN119894076A ,2025-04-25

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

林孟汉 ;

吴伟成 .

中国专利 :CN110718554B ,2020-01-21

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

张凯峯 ;

吕联沂 ;

蔡连尧 .

中国专利 :CN107032290A ,2017-08-11

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