半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611195878.0

申请日：

2016-12-22

公开(公告)号：

CN107032290A

公开(公告)日：

2017-08-11

发明(设计)人：

张凯峯吕联沂蔡连尧

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

B81B702

IPC分类号：

B81C100

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-11	公开	公开
2022-01-04	授权	授权
2019-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B81B 7/02 申请日:20161222

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

庄其毅 ;

陈豪育 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN113675194A ,2021-11-19

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

郑明达 ;

李梓光 ;

刘浩君 ;

蔡柏豪 ;

林志贤 ;

萧景文 .

中国专利 :CN113363160B ,2024-07-12

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

周智超 ;

庄正吉 ;

王志豪 ;

蔡庆威 .

中国专利 :CN119894076A ,2025-04-25

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

李劭宽 ;

黄心岩 ;

吴永旭 ;

李承晋 ;

陈海清 ;

眭晓林 .

中国专利 :CN110648993B ,2020-01-03

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN107046001B ,2017-08-15

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

林孟良 ;

黄震麟 .

中国专利 :CN106057760B ,2016-10-26

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

郑明达 ;

李梓光 ;

刘浩君 ;

蔡柏豪 ;

林志贤 ;

萧景文 .

中国专利 :CN113363160A ,2021-09-07

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

郑明达 ;

吕文雄 ;

康金玮 ;

庄咏涵 ;

毛隆凯 ;

林永胜 .

中国专利 :CN113517200A ,2021-10-19

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

周沛瑜 ;

许家铭 ;

李资良 .

中国专利 :CN115424982A ,2022-12-02

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

庄其毅 ;

陈豪育 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN113675194B ,2024-08-27

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