半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110476823.1

申请日：

2021-04-29

公开(公告)号：

CN113809014B

公开(公告)日：

2024-09-17

发明(设计)人：

杨松鑫郑宗期萧茹雄

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21/8238

IPC分类号：

H01L27/146

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-17	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

胡恬 ;

胡毓祥 ;

郭宏瑞 ;

余振华 .

中国专利 :CN111129254B ,2020-05-08

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

张城龙 ;

刘盼盼 ;

郑二虎 .

中国专利 :CN109411332A ,2019-03-01

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

林孟汉 ;

吴伟成 .

中国专利 :CN110718554B ,2020-01-21

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN108807377A ,2018-11-13

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

郑明达 ;

吕文雄 ;

康金玮 ;

庄咏涵 ;

毛隆凯 ;

林永胜 .

中国专利 :CN113517200A ,2021-10-19

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

杨松鑫 ;

郑宗期 ;

萧茹雄 .

中国专利 :CN113809014A ,2021-12-17

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

郑明达 ;

吕文雄 ;

康金玮 ;

庄咏涵 ;

毛隆凯 ;

林永胜 .

中国专利 :CN113517200B ,2024-06-07

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN109148297A ,2019-01-04

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄海涛 ;

张永熙 ;

陈伟 .

中国专利 :CN110098110A ,2019-08-06

[10]

半导体结构及其形成方法，半导体器件及其形成方法 [P].

张全良 ;

刘丽丽 .

中国专利 :CN114068708A ,2022-02-18

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