半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110211064.2

申请日：

2011-07-26

公开(公告)号：

CN102903667B

公开(公告)日：

2013-01-30

发明(设计)人：

周鸣

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L213105

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-25	授权	授权
2013-01-30	公开	公开
2013-03-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101409720792 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2011102110642 申请日:20110726

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

何其暘 ;

胡敏达 .

中国专利 :CN106952863A ,2017-07-14

[2]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

高健 ;

李天宇 ;

石俊 ;

殷然 ;

杨红心 ;

陈彬 .

中国专利 :CN121038288A ,2025-11-28

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

王彦 .

中国专利 :CN106935503A ,2017-07-07

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

晏文康 ;

蒋燚 .

中国专利 :CN119993835A ,2025-05-13

[5]

半导体器件的形成方法 [P].

王瑞 ;

王海平 ;

杨啸 ;

蒋燚 .

中国专利 :CN120149260A ,2025-06-13

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

张城龙 ;

刘盼盼 ;

郑二虎 .

中国专利 :CN109411332A ,2019-03-01

[7]

半导体器件的形成方法及半导体器件 [P].

王剑屏 .

中国专利 :CN109545674B ,2019-03-29

[8]

半导体器件及半导体器件的形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN104425278B ,2015-03-18

[9]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

刘国强 ;

熊博文 ;

雷威锋 ;

张恒 ;

王恩博 ;

刘峻 .

中国专利 :CN121152219A ,2025-12-16

[10]

半导体器件的形成方法 [P].

高超 ;

江红 ;

张永福 ;

王哲献 ;

李冰寒 .

中国专利 :CN105513954B ,2016-04-20

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