半导体结构及半导体结构的制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN202110334233.5
申请日
2021-03-29
公开(公告)号
CN113078155B
公开(公告)日
2021-07-06
发明(设计)人
张魁 应战
申请人
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H01L27092
IPC分类号
H01L218238
代理机构
北京律智知识产权代理有限公司 11438
代理人
李建忠;袁礼君
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及半导体结构的制作方法 [P]. 
赵文礼 ;
白杰 .
中国专利 :CN115642156A ,2023-01-24
[2]
半导体结构及半导体结构的制作方法 [P]. 
赵文礼 ;
白杰 .
中国专利 :CN115642156B ,2025-09-09
[3]
半导体结构的制作方法及半导体结构 [P]. 
王晓光 ;
李辉辉 ;
章纬 .
中国专利 :CN117423654A ,2024-01-19
[4]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
曹新满 ;
刘忠明 ;
夏军 ;
白世杰 .
中国专利 :CN114446887A ,2022-05-06
[5]
半导体结构及半导体结构制作方法 [P]. 
马经纶 .
中国专利 :CN114446955B ,2024-11-01
[6]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
卢经文 ;
洪海涵 .
中国专利 :CN113078114A ,2021-07-06
[7]
半导体结构及半导体结构制作方法 [P]. 
卢经文 ;
洪海涵 .
中国专利 :CN113097209B ,2021-07-09
[8]
半导体结构及半导体结构制作方法 [P]. 
马经纶 .
中国专利 :CN114446955A ,2022-05-06
[9]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
曹新满 ;
刘忠明 ;
夏军 ;
白世杰 .
中国专利 :CN114446887B ,2024-10-18
[10]
半导体结构的制作方法及半导体结构 [P]. 
肖德元 ;
余泳 ;
邵光速 .
中国专利 :CN114256158A ,2022-03-29