一种高晶化率多晶硅薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510474064.X

申请日：

2015-08-05

公开(公告)号：

CN104975260B

公开(公告)日：

2015-10-14

发明(设计)人：

王宙骆旭梁付传起董桂馥雍帆

申请人：

申请人地址：

116622 辽宁省大连市经济技术开发区学府大街10号

IPC主分类号：

C23C1414

IPC分类号：

C23C1424 C23C1458

代理机构：

大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235

代理人：

胡景波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-01	授权	授权
2015-10-14	公开	公开
2015-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101633318199 IPC(主分类):C23C 14/14 专利申请号:201510474064X 申请日:20150805

共 50 条

[1]

一种制备高导电率多晶硅薄膜的方法 [P].

陈诺夫 ;

吴强 ;

辛雅焜 ;

何海洋 ;

弭辙 ;

白一鸣 ;

高征 ;

刘虎 ;

付蕊 ;

杨博 ;

牟潇野 .

中国专利 :CN103560172A ,2014-02-05

[2]

一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜 [P].

高超飞 ;

葛晶涛 ;

刘旭亮 ;

沈文涛 ;

张明照 .

中国专利 :CN108878272A ,2018-11-23

[3]

多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

周丽萍 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN102201461A ,2011-09-28

[4]

一种多晶硅薄膜的制备方法 [P].

万青 ;

黄晋 ;

龚骏 ;

竺立强 ;

李莉 .

中国专利 :CN102249553B ,2011-11-23

[5]

一种多晶硅薄膜的制备方法 [P].

李慧 .

中国专利 :CN104328493A ,2015-02-04

[6]

低掺杂率多晶硅薄膜的制备方法 [P].

范多旺 ;

王成龙 ;

范多进 ;

王成兵 ;

耿中荣 ;

马海林 ;

苗树翻 .

中国专利 :CN101781794A ,2010-07-21

[7]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

江润峰 ;

孙天拓 .

中国专利 :CN104217940A ,2014-12-17

[8]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

张进 .

中国专利 :CN108987247A ,2018-12-11

[9]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

范建国 ;

季峰强 ;

董智刚 ;

黄柏喻 .

中国专利 :CN101290877A ,2008-10-22

[10]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

何永根 ;

陈旺 .

中国专利 :CN101307488B ,2008-11-19

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